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兆赫開關(guān)頻率提升 GaN 性能

來源:新能源汽車網(wǎng)
時(shí)間:2023-07-13 16:03:22
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兆赫開關(guān)頻率提升 GaN 性能 氮化鎵 (GaN) 因其比傳統(tǒng)硅基器件更高的電子遷移率而具有出色的高頻開關(guān)能力。GaN 晶體管對(duì)于電力電子器件至關(guān)重要,因?yàn)樗鼈冊(cè)诟唛_關(guān)頻率下

    氮化鎵 (GaN) 因其比傳統(tǒng)硅基器件更高的電子遷移率而具有出色的高頻開關(guān)能力。GaN 晶體管對(duì)于電力電子器件至關(guān)重要,因?yàn)樗鼈冊(cè)诟唛_關(guān)頻率下工作,從而實(shí)現(xiàn)更小的磁性元件和更高的功率效率。
    在低壓設(shè)計(jì)中,GaN 功率晶體管通常以大約 100KHz 至幾 MHz 的開關(guān)頻率使用。在高壓應(yīng)用中,除了復(fù)雜的諧振設(shè)計(jì)之外,由于熱管理和射頻發(fā)射帶來的困難,導(dǎo)致常常難以克服的 EMC 挑戰(zhàn),因此在 100KHz 以上使用 GaN 功率器件的例子非常少。
    然而,可以肯定的是,緩慢的轉(zhuǎn)變會(huì)浪費(fèi)能源。在晶體管既不導(dǎo)通也不截止的時(shí)間內(nèi),它會(huì)消耗功率,從而導(dǎo)致能量損失和熱問題。隨著開關(guān)速度的增加,轉(zhuǎn)換過程中消耗的時(shí)間更少,能量損失也更少。GaN 晶體管可以在 1-2ns 內(nèi)從開到關(guān)轉(zhuǎn)變,而 Si 和 SiC 晶體管需要 20-50ns。
    本文將介紹 QPT 公司開發(fā)的技術(shù),該技術(shù)旨在以高達(dá) 20 MHz 的頻率運(yùn)行 GaN 功率晶體管,該頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于當(dāng)今技術(shù)可實(shí)現(xiàn)的頻率。   
    QPT總部位于英國(guó)劍橋,是家開發(fā)使 GaN 在超過 100 kHz 的高功率頻率下工作所需技術(shù)的公司。這些高壓應(yīng)用需要硬開關(guān),例如用于 HVAC、自動(dòng)化等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。QPT 的一系列技術(shù)使 GaN 首次能夠在高達(dá) 20 MHz 的頻率下運(yùn)行,而不會(huì)出現(xiàn)過熱或 RF 干擾的情況,從而為 GaN 創(chuàng)造了廣闊的新應(yīng)用領(lǐng)域。

    據(jù) QPT 稱,在當(dāng)今的高電壓、高功率應(yīng)用中,GaN 的實(shí)際頻率上限約為 100 kHz,超過該頻率就會(huì)出現(xiàn)過熱和 RF 干擾問題。目前的解決方案是將 GaN 抑制到 100kHz 以下,這意味著其性能與碳化硅相當(dāng)。使用 GaN 沒有任何優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗荒茉诟唛_關(guān)速度或頻率下運(yùn)行,而實(shí)際上它可以節(jié)省功耗。

    “許多人已經(jīng)在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的低壓 GaN 上進(jìn)行研究,甚至在諧振系統(tǒng)的高壓應(yīng)用中進(jìn)行研究。我們有數(shù)十億臺(tái)電機(jī)由基于 IGBT、硅或 SiC 功率開關(guān)的 VFD 逆變器驅(qū)動(dòng),但效率低下。GaN 有可能取代這些開關(guān),從而減少 80% 的電力浪費(fèi)”,QPT 創(chuàng)始人兼執(zhí)行官 Rob Gwynne 說道。

    QPT 技術(shù)分為兩個(gè)模塊,以便用戶可以快速啟動(dòng)并運(yùn)行它,并且只需對(duì)其當(dāng)前設(shè)置進(jìn)行少量修改:
    qGaN:該模塊包括一個(gè) 650V GaN 晶體管和專有的 qDrive?,這是一種快速、準(zhǔn)確的隔離式 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器,具有高分辨率和低延遲。

    qSensor:它提供傳感和控制,使 GaN 能夠以非常高的頻率驅(qū)動(dòng)。

    圖 1 顯示了 QPT 控制的 GaN 與 GaN 和 SiC 商業(yè)器件的比較。正如我們所看到的,QPT 的 GaN 的損耗保持在較低水平,并且在整個(gè) 100kHz – 2MHz 頻率范圍內(nèi)幾乎保持恒定。即使在較低開關(guān)頻率下,商用 SiC 器件的損耗也較高,而在較高頻率下,SiC 和 GaN 現(xiàn)有解決方案都會(huì)因熱管理限制而增加損耗。
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    圖1 SiC、GaN和QPT控制的GaN的比較(源QPT)
    此外,QPT 還開發(fā)了 WisperGaN 構(gòu)建系統(tǒng)(圖 2),其中包括一個(gè)參考設(shè)計(jì),用于說明如何將模塊和輔助電子器件組裝在法拉第籠中,以防止發(fā)熱和射頻干擾。由此產(chǎn)生的解決方案使 GaN 能夠在超高頻下工作,并且與必須在低得多的頻率下工作的現(xiàn)有解決方案相比,功耗降低了 80%。

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    圖 2 QPT 使用其模塊(前臺(tái)有 qGaN 模塊)的 VFD 參考設(shè)計(jì)(來源 QPT)
    個(gè) qGaN 模塊 (Q650V15A-M01) 可處理 15A RMS 電流,同時(shí)驅(qū)動(dòng) 380V 三相電機(jī)。該路線圖將包括能夠處理不同功率需求的 qGaN 模塊,以滿足各種應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
    “我們需要三四年的時(shí)間才能進(jìn)入市場(chǎng)。但我們必須現(xiàn)在就開始——越早開始,我們就能越早有所收獲。隨著我們不斷前進(jìn),我們沒有任何物理原因不能擁有 1,200V GaN”,Gwynne 說道。
    與其他 QPT 技術(shù)模塊相結(jié)合,可以根據(jù)圖 2 所示的參考設(shè)計(jì)輕松組裝全面的解決方案。該參考設(shè)計(jì)是現(xiàn)有 VFD 功率級(jí)的直接替代品,無需 EMC 或熱冷卻知識(shí)。
    “目前,必須使用多電平拓?fù)鋪碓O(shè)計(jì)高壓轉(zhuǎn)換器,因?yàn)橹挥?650V 額定電壓的 GaN 器件。我們已經(jīng)開始與對(duì)電動(dòng)汽車市場(chǎng)感興趣并擁有利益相關(guān)者的公司合作。我們相信四五年內(nèi)我們的技術(shù)將會(huì)成熟,使我們能夠提供 1,000-1,200V 的設(shè)備”,Gwynne 說道。
    其中個(gè)是 GaN Systems Inc.,該公司剛剛與 QPT 簽署了一份諒解備忘錄,以研究開發(fā)其技術(shù)的可能性,從而提高性能并進(jìn)一步改進(jìn),從而提高電動(dòng)汽車的行駛里程。Gwynne 解釋說:“GaN Systems 生產(chǎn)性能的 650V 功率 GaN 器件,這使我們能夠在與我們的技術(shù)相結(jié)合時(shí)實(shí)現(xiàn)效率。電力使用效率越高,電動(dòng)汽車的續(xù)航里程就越遠(yuǎn)。”
    GaN Systems Inc 執(zhí)行官 Jim Witham 補(bǔ)充道:“QPT 開發(fā)的技術(shù)給我們留下了深刻的印象。他們實(shí)現(xiàn)了性能的功能改進(jìn),為電動(dòng)汽車市場(chǎng)提供了高度優(yōu)化的 GaN 解決方案。通過合作,GaN Systems 的晶體管和 QPT 技術(shù)可以極大地改變 GaN 市場(chǎng)。”
    變頻驅(qū)動(dòng)器 (VFD)
    VFD是電機(jī)驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵技術(shù),高效率在節(jié)能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。VFD 的工作原理是將輸入功率斬波為可改變的頻率以控制電機(jī)速度。制造商目前認(rèn)為切割過程中的能量損失可以忽略不計(jì)。然而,這種情況僅在速度下發(fā)生,而效率隨著速度降低而大幅降低,這就是現(xiàn)實(shí)世界運(yùn)行循環(huán)中的情況。
    這種行為如圖 3 所示,其中典型的 VFD 效率急劇下降,并且隨著電機(jī)速度降低而浪費(fèi)能量。QPT GaN 不會(huì)發(fā)生這種情況,它保持高效率。QPT 的 GaN 效率幾乎沒有變化,在實(shí)際操作條件下節(jié)省了大量功率。
    “我們的技術(shù)是 VFD。我們有晶體管來制作半橋。輸入、輸出和 RF 濾波器均包含在參考設(shè)計(jì)中,可直接替代基于 IGBT 或 MOSFET 的 VFD 功率級(jí)”,Gwynne 說道。
    兆赫開關(guān)頻率提升 GaN 性能
    圖 3:VFD 效率與電機(jī)速度(來源 QPT)
    此外,QPT的解決方案與PWM信號(hào)兼容,并且由于沒有輻射發(fā)射,因此不受EMC、封裝和散熱問題的影響。