HgCdTe光伏器件多層鈍化膜等離子體處理的研究

【摘要】：在HgCdT e光伏探測器件S iO2+ZnS復(fù)合介質(zhì)膜鈍化中,引入O+2清洗和A+r刻蝕兩種等離子體處理工藝,大大提高薄膜附著力,成功制備出優(yōu)良的光伏器件。對處理前后的樣品進(jìn)行場發(fā)射掃描電子顯微鏡掃描、原子力顯微鏡掃描和二次離子質(zhì)譜測試后發(fā)現(xiàn),O+2清洗對去除樣品表面的殘余光刻膠效果顯著;而A r+刻蝕使ZnS表面更為粗糙,增加了成核中心,使S iO2和ZnS表面互相滲透,增強(qiáng)了兩層介質(zhì)膜的附著力。 【作者單位】： 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室
【關(guān)鍵詞】： O+清洗 Ar+刻蝕 鈍化 HgCdTe光伏探測器
【分類號】：TN215
【正文快照】： 1引言碲鎘汞(HgCdT e)作為一種性能良好的紅外探測器材料,以其獨(dú)特的物理特性和應(yīng)用潛力而日益引起了人們的廣泛關(guān)注,成為僅次于S i和G aA s的應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料。HgCdT e紅外探測器主要有兩種類型:光導(dǎo)型和光伏型。但不管是光導(dǎo)探測器還是光伏探測器,器件的表面鈍化技術(shù)

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