熱處理過程對HgCdTe光伏探測器性能的影響

【摘要】：本文論述了HgCdTe光伏探測器的I-V特性和暗電流機制,討論了離子注入后退火、鈍化后烘烤、倒焊互聯(lián)后退火等熱處理過程對HgCdTe光伏探測器性能的影響。 【作者單位】： 中國科學院上海技術(shù)物理研究所 中國科學院上海技術(shù)物理研究所
【關(guān)鍵詞】： HgCdTe光伏探測器 退火 烘烤
【分類號】：TN36
【正文快照】： IHgcdTe光伏探測器的I-v特性和 暗電流機制 p一n結(jié)的卜v特性(見圖l)決定了光電探測 器的動態(tài)阻抗和熱噪聲. HgCdTe光伏器件的暗電流機制主要包括擴 散電流、產(chǎn)生一復合電流、間接隧道電流和直接 隧道電流. 在許多實際應用中，光電二極管工作在零 偏壓附近.零偏壓時的動態(tài)阻抗

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