InGaAs/InP光伏探測器陣列鈍化工藝及均勻性研究

【摘要】：通過對氣態(tài)源分子束外延結(jié)合常規(guī)器件工藝研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探測器陣列光響應(yīng)和暗電流特性的表征和比較,研究了聚酰亞胺和氮化硅兩種鈍化工藝對陣列器件性能和均勻性的影響,并對兩種不同鈍化膜陣列器件后續(xù)封裝的可靠性進(jìn)行了比較和分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,氣態(tài)源分子束外延材料具有良好的均勻性;氮化硅鈍化器件總體性能上優(yōu)于聚酰亞胺鈍化器件。引線封裝實(shí)驗(yàn)顯示,SiN鈍化膜有較好的抗沖擊和熱穩(wěn)定性,具有更好的工藝相容性。 【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
【關(guān)鍵詞】： InGaAs 光伏探測器 焦平面陣列 鈍化 氣態(tài)源分子束外延
【分類號】：TN29
【正文快照】： 1引言短波紅外InGaAs光伏探測器具有響應(yīng)速度快、量子效率高、靈敏度高,以及可在較高的環(huán)境溫度和強(qiáng)輻照環(huán)境下工作等優(yōu)點(diǎn)[1,2],與InP晶格匹配In0.53Ga0.47As材料可覆蓋1~1.7μm的近紅外波段,被廣泛應(yīng)用于光纖通信、衛(wèi)星遙感、夜視、紅外成像、激光測距、有害氣體檢測,以及環(huán)

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