多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的陶瓷襯底材料

【摘要】：正目前,薄膜太陽(yáng)能電池是主要的發(fā)展方向,在廉價(jià)襯底上沉積硅薄膜。這些襯底可以是陶瓷、硅帶、玻璃等等,沉積的方法有化學(xué)氣相沉積、液相外延等。本文采用陶瓷作為太陽(yáng)能電池的襯底材料,通過陶瓷燒結(jié)工藝來制備Si_3N_4襯底,利用雜質(zhì)阻擋層來實(shí)現(xiàn)在異質(zhì)襯底上生長(zhǎng)多晶硅薄膜有源層。經(jīng)處理后的Si_3N_4樣品分為兩組,一組用PECVD沉積Si_3N_4作為雜質(zhì)阻擋層,將兩組樣品置于RTCVD系統(tǒng)中生長(zhǎng)薄膜,生長(zhǎng)溫度為1100～1150℃,生長(zhǎng)速率為1.5μm/min,薄膜厚度為46μm。四探針測(cè)量和Hall測(cè)量測(cè)得薄膜的方塊電阻力15.2Ω/□,薄膜的電阻率為0.07Ω·cm,摻雜濃度為5.5E+17cm~(-3),遷移率為 【作者單位】：清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系 清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系 清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 目前,薄膜太陽(yáng)能電池是主要的發(fā)展方向,在廉價(jià)襯底上沉積硅薄膜。這些襯底可以是陶瓷、硅帶、玻璃等等,沉積的方法有化學(xué)氣相沉積、液相夕誕等。本文采用陶瓷作為太陽(yáng)能電池的襯底材料,通過陶瓷燒結(jié)工藝來制備Si3N;襯底,利用雜質(zhì)阻擋層來實(shí)現(xiàn)在異質(zhì)襯底上生長(zhǎng)多晶硅薄膜有源

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