單結(jié)GaAs量子阱太陽能電池

【摘要】：正 GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)接近30%(AM0).進一步提高電池的效率受到材料禁帶寬度與晶格匹配的限制。如何解決這個問題一直是人們的努力目標。量子阱電池利用應(yīng)變層較好地解決了晶格匹配的問題,同時引入了中間能級,電池長波響應(yīng)得到擴展,提高了短路電流,為解決禁帶寬度與晶格匹配的矛盾提供了一個方法。我們采用MOCVD方法制備了p-i-n GaAs太陽能電池。在電池的本征區(qū)中加入了InGaAs/GaAsP量子阱結(jié)構(gòu)。X—射線雙晶衍射表明電池中的材料缺陷較少,具有良好結(jié)晶質(zhì)量與周期性。光譜 【作者單位】：東南大學(xué)電子工程系 河南大學(xué)物理與信息光電子學(xué)院 中國電子科技集團公司第十八研究所 東南大學(xué)電子工程系 東南大學(xué)電子工程系
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： GainPIGaA夕Ge三結(jié)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)接近30%(AMO).進一步提高電池的效率受到材料禁帶寬度與晶格匹配的限制.如何解決這個問題一直是人們的努力目標.量子阱電池利用應(yīng)變層較好地解決了晶格匹配的問題,同時引入了中間能級,電池長波響應(yīng)得到擴展,提高了短路電流,為解決

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