HgCdTe光伏器件多層鈍化膜等離子體處理的研究【摘要】：正HgCdTe光伏探測(cè)器是重要的一類(lèi)紅外探測(cè)器,在該器件制備工藝中,鈍化技術(shù)決定著器件的穩(wěn)定性、抗干擾能力,和其它性能指標(biāo)

CdTe+ZnS雙層鈍化的HgCdTe光伏探測(cè)器的制備及性能研究【摘要】：制備了CdTe+ZnS介質(zhì)膜,將其應(yīng)用于光伏探測(cè)器中,對(duì)器件的性能進(jìn)行了測(cè)試,并通過(guò)理論計(jì)算,分析了器件的

碲鎘汞光伏探測(cè)器基座的低溫形變分析【摘要】：論文對(duì)碲鎘汞光伏探測(cè)器的基座在高低溫變化過(guò)程中的形變情況進(jìn)行了測(cè)量,得到了基座形變大小與柯伐厚度的關(guān)系,從而為基座柯伐厚度的選擇提供了依

集成浸沒(méi)透鏡結(jié)構(gòu)的碲鎘汞光伏器件的研制【摘要】：采用等溫氣相外延方法(ISOVPE)在Cd Zn Te襯底上生長(zhǎng)出碲鎘汞外延材料結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上研制出具有集成浸沒(méi)透鏡結(jié)構(gòu)并在近室溫

脈沖激光誘導(dǎo)碲鎘汞光伏探測(cè)器負(fù)光伏響應(yīng)現(xiàn)象研究【摘要】：利用皮秒脈沖激光輻照碲鎘汞線列探測(cè)器上的光敏元,發(fā)現(xiàn)其光伏響應(yīng)表現(xiàn)為先形成一個(gè)負(fù)光伏谷,之后演變?yōu)檎夥?。改變?nèi)肷浼す獾墓?

HgCdTe光伏器件表面鈍化以及MIS器件制備與分析【摘要】：在對(duì)HgCdTe光伏器件的表面鈍化進(jìn)行了綜述的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)研究了HgCdTeMIS器件制備中的關(guān)鍵工藝、對(duì)MIS器件的

氧化釩光伏特性及其應(yīng)用研究【摘要】：氧化釩因具有受熱輻射后電阻變化的特性,是微測(cè)輻射熱計(jì)用的熱敏電阻的理想材料。此外,基于氧化釩光學(xué)帶隙橫跨可見(jiàn)與紅外雙波段(0.5 eV~2.24

PbTe光伏探測(cè)器的研制【摘要】：Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體是一類(lèi)禁帶寬度很窄的化合物半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特的物理性質(zhì),是應(yīng)用于紅外波段光電探測(cè)器的理想材料。本文簡(jiǎn)要介紹了Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體的背景

高效聚合物太陽(yáng)電池的電極修飾與光伏探測(cè)器的性能研究【摘要】：聚合物光伏器件是一種新型的能夠直接將太陽(yáng)光子轉(zhuǎn)化為電能的器件,因具備質(zhì)量輕、成本低以及材料來(lái)源廣泛等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛研究。一

“閃光”對(duì)銻化銦光伏探測(cè)器性能影響【摘要】：本文敘述了天文上廣為使用的銻化銦光伏紅外探測(cè)器的“閃光”現(xiàn)象的實(shí)驗(yàn)研究,它可以大大提高探測(cè)器的等效電阻(通?？筛哌_(dá)2×10~(11)Ω以

光伏型紅外探測(cè)器伏安特性的測(cè)試與分析【摘要】：目前,國(guó)外對(duì)光伏型紅外探測(cè)器伏安特性測(cè)試,主要以變溫伏安特性為主,結(jié)合工藝討論的較多,專(zhuān)門(mén)論述較少;國(guó)內(nèi)也主要是結(jié)合工藝討論,對(duì)伏安特

InSb光伏探測(cè)器鈍化對(duì)電學(xué)性能的影響【摘要】：實(shí)驗(yàn)以陽(yáng)極氧化法在0.1MKOH溶液中鈍化InSb光伏探測(cè)器,測(cè)量器件鈍化前后電學(xué)性能的變化。結(jié)果表明,器件經(jīng)鈍化后,反向阻抗普遍提

Pb_(1-X)Ge_XTe(0.05≤X≤0.11)擴(kuò)散結(jié)光伏紅外探測(cè)器【摘要】：用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通過(guò)銻雜質(zhì)擴(kuò)散形成n-p結(jié)已制成光伏

高探測(cè)度Pb_xSn_(1-x)Te光伏二極管【摘要】：英國(guó)Allen Clark研究中心制備了在77°K工作的探測(cè)度達(dá)10~(11)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)的10.6微米P

碲鎘汞光伏探測(cè)器【摘要】：正 大約在六年以前碲鎘汞紅外探測(cè)器仍然處于保密狀態(tài),這以后它們才公開(kāi)在市場(chǎng)上廣泛出售。關(guān)于它們的潛在能力和用途還有許多因素是未來(lái)的用戶所不十分清楚的。本文

銻化銦光伏探測(cè)器【摘要】：正 前言銻化銦光伏紅外探測(cè)器,由于其具有現(xiàn)代探測(cè)器的工作性能,在軍用和工業(yè)用的紅外裝置上得到日益廣泛的應(yīng)用。單元及多元探測(cè)器的性能已發(fā)展到背景輻射限(BL

截止頻率達(dá)千兆赫的10.6微米CdHgTe光伏探測(cè)器【摘要】：利用化學(xué)計(jì)量偏離法制備了x(～-)0.20的p-n結(jié)Cd_xHg_(1-x)Te器件,來(lái)研究10.6微米波長(zhǎng)的光伏探測(cè)

碲鎘汞快速光伏紅外探測(cè)器【摘要】：正 說(shuō)明 (Hg,Cd)Te光伏探測(cè)器用作8～14微米的紅外接收器件特別令人感興趣。利用光伏效應(yīng)能提高截止頻率,降低低頻噪聲電平。實(shí)際的探測(cè)器是C

用于10微米波長(zhǎng)的碲錫鉛光伏探測(cè)器【摘要】：正 過(guò)去幾年,對(duì)研制8～14微米范圍內(nèi)以本征方式工作的HgCdTe探測(cè)器給于了較多的注意。本文將提出在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)的一種新探測(cè)器的初步研

質(zhì)子轟擊的銻化銦n-p結(jié)光伏探測(cè)器【摘要】：本文介紹了用質(zhì)子轟擊產(chǎn)生 n-型層來(lái)制備銻化銦 n-P 結(jié)光伏探測(cè)器的方法。在77°K 時(shí),直徑為20密耳的二極管具有幾十萬(wàn)歐姆的零偏壓

8～14微米碲錫鉛光伏探測(cè)器及其陣列【摘要】：作者用氣相傳輸系統(tǒng)在碲化鉛基片上生長(zhǎng)了Pb_xSn_(1-x)Te合金(X值在0.88～0.75之間)的單晶層。并用這種合金材料制成了

2.35μm碲鎘汞光伏探測(cè)器離子注入工藝研究【摘要】：利用p型Hg_(1-x)Cd_xTe(或簡(jiǎn)稱(chēng)MCT)組分x=0.44體晶材料,研究了B~+離子注入平面工藝制備2.35μm截止

銻化銦光伏探測(cè)器中的應(yīng)力感應(yīng)漏電問(wèn)題【摘要】：用一個(gè)柵極可控二極管器件來(lái)研究外加應(yīng)力對(duì)銻化銦(InSb)p~+/n光伏紅外探測(cè)器的漏電影響。通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了外加應(yīng)力與柵極之間在其對(duì)電

N-On-P Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光伏探測(cè)器參量的選擇【摘要】：考慮了Burstein-Moss效應(yīng)等因素,得到了光伏探測(cè)器的性能公式?！咀髡邌挝弧浚荷綎|大學(xué)紅外遙

Si襯底上的HgCdTe光伏探測(cè)器【摘要】：利用CdTe和GaAs中間外延層,首次在Si襯底上制作了HgCdTe紅外光伏探測(cè)器。在熱循環(huán)之后未觀測(cè)到這些器件(截止波長(zhǎng)為5.5μm,