Si襯底上的HgCdTe光伏探測器

【摘要】：利用CdTe和GaAs中間外延層,首次在Si襯底上制作了HgCdTe紅外光伏探測器。在熱循環(huán)之后未觀測到這些器件(截止波長為5.5μm,在80K時R_0A高達200Ωcm~2)有裂縫或衰變。次級離子質(zhì)譜測定法和俄歇數(shù)據(jù)證明:CdTe緩沖層使中間GaAs外延層中Ga的擴散,不致在高達500℃的生長溫度下無意中使p-HgCdTe轉(zhuǎn)變?yōu)閚型。 【關鍵詞】： 碲鎘汞 光伏探測器 硅襯底
【正文快照】： 目前單晶CdTe是HgCdTe紅外光電探測器的標準襯底,但是,應用于HgCdT“探測器陣列,由于CdTe襯底的質(zhì)量及面積小、成本高和脆性,使其應用受到限制。有的文章[l]論證了在si上利用C dTe和GaAs中間緩沖層外延生長HgCdTe。本文描述在粗糙的低成本si襯底上,首次制作的H gCdTe探測器。

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