N-On-P Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光伏探測器參量的選擇

【摘要】：考慮了Burstein-Moss效應等因素,得到了光伏探測器的性能公式。 【作者單位】： 山東大學紅外遙感研究室 山東大學紅外遙感研究室 山東大學紅外遙感研究室 中國科學院上海技術(shù)物理研究所 中國科學院上海技術(shù)物理研究所 中國科學院上海技術(shù)物理研究所
【關(guān)鍵詞】： 光伏探測器 HgCdTe
【正文快照】： 1日I生.‘‘.J.‘二J 費密能級的位置與載流子濃度有關(guān),對于窄禁帶半導體材料,由于頂rs怕紐一Mo陰效應的存在,HgodTe材料的吸收系數(shù)與費密能級位置和入射波長有關(guān)烏幻,因而表層與基區(qū)的吸收系數(shù)對某些波長可相差相當大。本文考慮了這些因素,得到了光伏探測器性能的有關(guān)公式,

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