首頁 > 學術論文

Pb_(1-X)Ge_XTe(0.05≤X≤0.11)擴散結光伏紅外探測器

來源:論文學術網(wǎng)
時間:2024-08-19 03:51:42
熱度:

Pb_(1-X)Ge_XTe(0.05≤X≤0.11)擴散結光伏紅外探測器【摘要】:用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通過銻雜質(zhì)擴散形成n-p結已制成光伏

【摘要】:用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通過銻雜質(zhì)擴散形成n-p結已制成光伏紅外探測器。在77和195K之間的溫度下進行了測量,其長波響應截止是3.5~4.5微米。禁帶寬度溫度系數(shù)在低于鐵電居里溫度時為正而在高于該溫度時即轉(zhuǎn)變?yōu)樨摗? 【關鍵詞】光伏紅外探測器 禁帶寬度 光伏探測器 居里溫度 擴散二極管 溫度系數(shù) 合金組分 測量 熱電致冷器 微米
【正文快照】: 對用鉛鹽合金〔”制備光伏探測器的研制工作已投入了相當?shù)牧α?而最近所著重的是8~14微米,工作溫度為77’K的Pb,_石n、Te。然而,用禁帶寬度較大的半導體所制備的器件能夠在較高溫工作。在目前的研究中是對PbTe加GeTe以增加禁帶寬度和取得3~5微米大氣窗的波長截止。所選的195

您可以在本站搜索以下學術論文文獻來了解更多相關內(nèi)容

AlN/InN和AlN/GaN超晶格能帶結構研究    蘆偉;徐明;魏屹;何林;

Mn摻雜銳鈦礦型TiO_2電子結構的第一性原理研究    鐘雪春;潘湛昌;魏志鋼;徐閣;徐艷陽;

平面型GaN p-n結探測器的制備與性能    包西昌;張文靜;劉詩嘉;李超;李向陽;

InAs/GaSbⅡ類超晶格紅外探測器光電特性理論計算    史衍麗;李凡;趙魯生;徐文;

ZnO薄膜的制備及應用    陳瀚;

PbTe中紅外光伏探測器    魏曉東;蔡春峰;張兵坡;胡煉;吳惠楨;張永剛;馮靖文;林加木;林春;方維政;戴寧;

NEA GaN光電陰極的制備與評估    高頻;王曉暉;杜玉杰;李彪;付曉倩;

亞100nm應變Si/SiGe nMOSFET閾值電壓二維解析模型    王冠宇;張鶴鳴;王曉艷;吳鐵峰;王斌;

GaAs光電導開關激子效應的光電導特性    馬湘蓉;施衛(wèi);

4H-SiC同質(zhì)外延層中的擴展缺陷研究    閆果果;孫國勝;吳海雷;王雷;趙萬順;劉興昉;董林;鄭柳;曾一平;

SrCe_(1-x)Y_xO_(3-α)高溫質(zhì)子導體結構和紫外光譜研究    方建慧;朱冬冬;沈霞;丁偉中;施利毅;

摻鍺CZSi禁帶寬度的變化    牛新環(huán);張維連;呂海濤;蔣中偉;王雅欣;

組分漸變的SiGe HBT材料的生長    趙麗霞;高國智;陳秉克;袁肇耿;張鶴鳴;

二氧化硅超薄膜的掃描隧道顯微鏡和掃描隧道譜研究    薛坤;許建斌;賀仲卿;徐明生;安錦;張榮耀;

Mg~(2+)在Mg_xZn_(1-x)O合金薄膜中的擴散過程研究    趙東旭;劉益春;申德振;呂有明;范希武;

半導體催化動力學的激發(fā)復合機理——定態(tài)時的某些結果    吳希權;

ZnO同質(zhì)p-n結的研究    楊曉杰;許小亮;謝家純;徐傳明;徐軍;劉洪圖;

鍺硅低維結構的帶間吸收邊的研究    黃仕華;

Mg含量對Zn_(1-x)Mg_xO薄膜結構及透光性的影響    張霞;李效民;陳同來;于偉東;

退火對離子輻照引起4H-SiC損傷恢復的影響    周麗宏;張崇宏;楊義濤;李炳生;宋銀;

既熟悉又陌生的LED    北方交通大學  滕 楓 徐 征 趙謖玲

高頻器件“三國演義”    本報記者 孫定

新一代寬禁帶半導體材料    傅竹西

化合物半導體材料開始步入產(chǎn)業(yè)化    

新型場發(fā)射顯示熒光材料的研究    郭培民

摻雜構型對ZnO電子結構和合金穩(wěn)定性影響的第一性原理研究    濮春英

Er_2O_3高k柵介質(zhì)材料的分子束外延生長、結構及其物理特性    朱燕艷

摻雜ZnO穩(wěn)定性和電子結構的第一性原理研究    唐鑫

硅微結構材料的制備及應用    苗鳳娟

MgZnO薄膜的制備及特性研究    張錫健

介孔二氧化鈦光催化劑的制備、表征及性能研究    周明華

亞微米GaAs PHEMT器件及其小信號建模    李拂曉

金屬—半導體—金屬結構二氧化鈦紫外光電探測器的研制    薛海林

連續(xù)及納秒激光對砷化鎵材料的損傷研究    祁海峰

直流反應磁控濺射法制備Al-N和In-N共摻p型ZnMgO與ZnO薄膜    葉羽敏

半導體異質(zhì)結中極化子回旋共振及其壓力效應    于曉龍

ZnO及ZnMgO量子點的可控生長和性能研究    孫磊

有機襯底上沉積禁帶寬度可調(diào)的CdO透明導電薄膜    周強

氮化鋅粉末與氮化鋅薄膜的制備    杜偉

雙極結型晶體管發(fā)射結正向I-V特性曲線的匯聚特性    盧爍今

Mg_xZn_(1-x)O透明導電薄膜的制備及性能研究    黃偉霞

氮化硅薄膜轉(zhuǎn)移技術與多孔硅基一維光子晶體制備研究    包曉清

磁控濺射法制備Mg_xNi_(1-x)O薄膜及其表征    張志剛

Ge_3N_4的準粒子能帶結構計算    蔡冠華