CdTe+ZnS雙層鈍化的HgCdTe光伏探測(cè)器的制備及性能研究

【摘要】：制備了CdTe+ZnS介質(zhì)膜,將其應(yīng)用于光伏探測(cè)器中,對(duì)器件的性能進(jìn)行了測(cè)試,并通過理論計(jì)算,分析了器件的暗電流機(jī)構(gòu),得到一些相關(guān)的材料和器件性能參數(shù)。 【作者單位】：中國科學(xué)院上海技術(shù)物理所功能材料器件中心 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理所功能材料器件中心 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理所功能材料器件中心 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理所功能材料器件中心 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理所功能材料器件中心 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理所功能材料器件中心
【關(guān)鍵詞】：HgCdTe光伏探測(cè)器 雙層鈍化 暗電流
【分類號(hào)】：TN36
【正文快照】： 引言HgCdTe(MCT)光伏探測(cè)器對(duì)表面狀態(tài)非常敏感,器件性能常常受到表面漏電的限制,在低溫下尤其如此,已成為制約光伏探測(cè)器性能的瓶頸之一。在常規(guī)工藝中,常常通過濺射、蒸發(fā)ZnS、CdTe等鈍化介質(zhì)降低界面態(tài),由于ZnS鈍化的器件具有很好的絕緣性而得到了廣泛應(yīng)用,但在最近的研究

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