HgCdTe光伏探測器反偏暗電流機制分析

【摘要】：HgCdTe光伏探測器在第二代和第三代紅外探測器中處于主流地位。如何降低探測器的暗電流直接關(guān)系到探測器的噪聲和靈敏度,其分析計算方法有多種。運用Synopsys半導(dǎo)體器件模擬軟件對HgCdTe pn結(jié)各種機制下的反偏暗電流和動態(tài)微分電阻進行了模擬計算。計算結(jié)果和相關(guān)文獻報道的結(jié)果以及試驗測試結(jié)果都吻合很好。 【作者單位】： 云南大學(xué)物理科學(xué)技術(shù)學(xué)院物理系 昆明物理所 昆明物理所
【關(guān)鍵詞】： HgCdTe光伏探測器 暗電流 器件模擬 Synopsys軟件 陷阱輔助隧穿電流 模擬計算 半導(dǎo)體器件 測試結(jié)果 微分電阻 模擬軟件
【基金】：云南省培引人才項目資助(2004PY01-30)
【分類號】：TN215
【正文快照】： 引言目前,HgCdTe光伏探測器在第二代和第三代紅外探測器中處于主流地位。它的響應(yīng)率高,響應(yīng)速度快,可獲得較高的零偏、反偏阻抗,在直接探測和外差探測方面都有著重要的應(yīng)用。其高阻抗特性使得光伏器件無須任何阻抗轉(zhuǎn)換就能與CMOS讀出電路直接配合,實現(xiàn)信號的在片處理,因而在

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