短波紅外InGaAs/InP光伏探測(cè)器系列的研制

【摘要】：采用氣態(tài)源分子束外延方法及應(yīng)用有源區(qū)同質(zhì)結(jié)構(gòu)及較薄的組分漸變InxGa1-xAs緩沖層,研制了波長(zhǎng)擴(kuò)展的InGaAs/InP光伏探測(cè)器系列,其室溫下的截止波長(zhǎng)分別約為1.9μm,2.2μm.和2.5μm.對(duì)此探測(cè)器系列在較寬溫度范圍內(nèi)的性能進(jìn)行了細(xì)致表征,結(jié)果表明在室溫下其R0A乘積分別為765,10.3和12.7Ωcm2,比室溫降低100K時(shí)其暗電流和R0A可改善約3個(gè)量級(jí).瞬態(tài)特性測(cè)量表明此探測(cè)器系列適合高速工作,實(shí)測(cè)響應(yīng)速度已達(dá)數(shù)十ps量級(jí). 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
【關(guān)鍵詞】： 光伏探測(cè)器 短波紅外 InGaAs 氣態(tài)源分子束外延
【基金】：國(guó)家“973”項(xiàng)目基金(G20000683) 國(guó)家“863”項(xiàng)目基金(2002AA313040)
【分類號(hào)】：TN215
【正文快照】： 引言短波紅外(1~3μm)波段的光電探測(cè)器及其陣列在紅外遙感[1]、夜視、溫度測(cè)量及氣體測(cè)量等方面都有重要應(yīng)用.在此波段上除碲鎘汞[2]和銻化物外,三元系的InGaAs也是性能優(yōu)良的的制作光電探測(cè)器的材料.對(duì)于InGaAs,由于其具有很好的材料穩(wěn)定性及良好的抗輻照性能,并且有更成熟

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