HgCdTe光伏探測(cè)器在高溫背景輻照下的I-V特性分析

【摘要】：對(duì)中波HgCdTe光伏探測(cè)器進(jìn)行了不同目標(biāo)溫度范圍的黑體輻射I-V測(cè)試研究,結(jié)果表明器件光電流隨著目標(biāo)輻射的升高逐漸上升,同時(shí)器件微分阻抗隨之下降;在同一背景紅外輻射下,器件微分阻抗隨著反向偏壓的增加而下降.采用“l(fā)ucky electron”模型對(duì)器件的R-V曲線進(jìn)行了擬合,結(jié)果證實(shí)器件反偏微分電阻下降的主要原因是由于pn結(jié)耗盡區(qū)光生載流子的激增,碰撞電離導(dǎo)致的光電倍增效應(yīng)所引起. 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
【關(guān)鍵詞】： HgCdTe 高溫背景輻照 碰撞離子化 微分阻抗
【基金】：國(guó)防預(yù)研(4130202105)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：TN36
【正文快照】： 引言由于HgCdTe直接帶隙半導(dǎo)體具有高吸收系數(shù)、高量子效率、覆蓋波段范圍廣和響應(yīng)速度快等一系列優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為制作紅外光電探測(cè)器以及發(fā)展新一代紅外焦平面器件的最佳材料[1].表征和評(píng)價(jià)器件特性是制備高性能紅外焦平面的重要組成部分,表征器件性能的參數(shù)主要包括暗電流機(jī)

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