薄膜太陽(yáng)能電 最新動(dòng)態(tài)
采用TCOs濾波器的硅電池?zé)峁夥到y(tǒng)的性能研究【摘要】:建立了以硅電池為轉(zhuǎn)換器的熱光伏(TPV)系統(tǒng)的能量流動(dòng)模型和透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)濾波器的理論模型;分析了載流子濃度和薄
2024-08-19
熱度值:105
標(biāo)簽:熱光伏電池,薄膜太陽(yáng)能電,熱光伏
制造首富的薄膜光伏到底是何方神圣?【摘要】:正過(guò)去幾個(gè)月里,傳統(tǒng)地產(chǎn)巨頭萬(wàn)達(dá)發(fā)力轉(zhuǎn)身電商、文化、金融領(lǐng)域,實(shí)力不減;阿里巴巴在美國(guó)成功上市,也終于站上了全球商業(yè)的最高梯隊(duì)。就在公眾
2024-08-19
熱度值:79
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,薄膜太陽(yáng)能,電池
非晶硅太陽(yáng)能電池ZnO:Al/Al復(fù)合背電極增反工藝優(yōu)化【摘要】:在硅基薄膜太陽(yáng)能電池中,常使用透明導(dǎo)電氧化物(TCO)與金屬組成的復(fù)合背反射電極,以增加對(duì)太陽(yáng)光的收集效率,從而提
2024-08-19
熱度值:122
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,非晶硅太陽(yáng)能,太陽(yáng)能電池
用于HIT太陽(yáng)能電池的本征非晶硅薄膜【摘要】:帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)(HIT)太陽(yáng)能電池要求本征非晶硅薄膜具有生長(zhǎng)速率低,暗電導(dǎo)大,光學(xué)帶隙寬的特點(diǎn).采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PEC
2024-08-19
熱度值:159
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜
ZnO:Al透明導(dǎo)電膜的性能研究及其在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用【摘要】:本文采用中頻脈沖磁控濺射法,通過(guò)優(yōu)化ZnO:Al薄膜的制備工藝,如靶電壓、本底真空度、工作氣壓、襯底溫度、O_
2024-08-19
熱度值:140
標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能電,薄膜太陽(yáng)能
薄膜太陽(yáng)能電池中半導(dǎo)體電極熱電性質(zhì)的第一性原理研究【摘要】:In_2O_3是典型的透明導(dǎo)電氧化物(Transparent Conductive Oxides, TCOs)之一,由于
2024-08-18
熱度值:98
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能
CuInS_2薄膜太陽(yáng)能電池的制備和表征【摘要】:太陽(yáng)能作為清潔型新能源的主題,被贊譽(yù)為人類(lèi)之父,具有非常廣闊的開(kāi)發(fā)前景。在所有的光伏器件中,CuInS_2是直接帶隙半導(dǎo)體材料,吸
2024-08-18
熱度值:106
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能
利用SiO_2粒子散射提高薄膜太陽(yáng)能電池吸收特性的研究【摘要】:近年來(lái)薄膜太陽(yáng)能電池的加工及成本低廉,使其成為研究熱點(diǎn),并取得了較快的發(fā)展。為了更好的改善太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)化效率,
2024-08-18
熱度值:86
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能
高效陷光結(jié)構(gòu)玻璃基片研究及其在薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用【摘要】:薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)一般可以在價(jià)格低廉的玻璃基板上生長(zhǎng),可以用PECVD、濺射等方法實(shí)現(xiàn)大面積制備,與體硅太陽(yáng)能電池相比
2024-08-18
熱度值:109
標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能電,薄膜太陽(yáng)能
新型半導(dǎo)體光吸收材料的制備、表征及其在薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用【摘要】:面對(duì)日益嚴(yán)峻的環(huán)境污染和能源短缺問(wèn)題,如何利用取之不盡、用之不竭的太陽(yáng)能,發(fā)展新型的低成本、高效率的太陽(yáng)能電池
2024-08-18
熱度值:214
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能
μc-Si∶Hp-i-n薄膜太陽(yáng)能電池中i層的設(shè)計(jì)分析【摘要】:通過(guò)應(yīng)用Scharfeter-Gummel解法數(shù)值求解Poisson方程,對(duì)熱平衡μc-Si∶Hp-i-n薄膜太陽(yáng)能
2024-08-18
熱度值:93
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能
a-Si:H太陽(yáng)能電池i層中氧、硼雜質(zhì)對(duì)其穩(wěn)定性影響【摘要】:基于pin結(jié)構(gòu)的a-Si:H太陽(yáng)能電池中空間電荷效應(yīng),討論了i層中氧、硼雜質(zhì)對(duì)其性能的影響,結(jié)果表明,氧硼雜質(zhì)存在都改
2024-08-18
熱度值:140
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池
四川建設(shè)中國(guó)最大的水電基地【摘要】:【關(guān)鍵詞】:錦屏一級(jí)水電站 大型水電站 水電基地 “三江”地區(qū) 四川省 水力資源蘊(yùn)藏量 雅礱江 大型電站 混凝土雙曲拱壩 規(guī)劃
2024-08-18
熱度值:179
標(biāo)簽:核能發(fā)展,核電,薄膜太陽(yáng)能電
CdTe p-i-n薄膜太陽(yáng)能電池?zé)崞胶鈶B(tài)數(shù)值分析【摘要】:通過(guò)應(yīng)用Scharfetter-Gummel解法數(shù)值求解Poisson方程,對(duì)熱平衡態(tài)P(ZnTe)/i(CdTe)/n
2024-08-18
熱度值:141
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能
n-CdTe Schottky勢(shì)壘薄膜太陽(yáng)能電池中嵌入p型層對(duì)其勢(shì)壘高度影響的計(jì)算機(jī)模擬【摘要】:通過(guò)求解Poisson方程,對(duì)熱平衡態(tài)金屬:p-n-CdTeSchotky勢(shì)壘薄
2024-08-18
熱度值:58
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,薄膜太陽(yáng)能,太陽(yáng)能電池
太陽(yáng)能電池反應(yīng)模擬光合系統(tǒng)反應(yīng)中心電荷復(fù)合形成三線態(tài)分子的過(guò)程(英文)【摘要】:光合系統(tǒng)反應(yīng)中心普遍存在電荷復(fù)合反應(yīng)形成三線態(tài)分子的過(guò)程 ,并通過(guò)所形成的三線態(tài) β 胡蘿卜素將剩余
2024-08-18
熱度值:293
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池
a—SiC/c—Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池中a—SiC:H薄膜的設(shè)計(jì)分析【摘要】:通過(guò)應(yīng)用 Scharfetter-Gummel解法數(shù)值求解 Poisson方程,對(duì)熱平衡 p+(a-Si
2024-08-18
熱度值:78
標(biāo)簽:結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能,薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池
基于PLC控制的數(shù)控預(yù)應(yīng)力設(shè)備在水電基建中的應(yīng)用【摘要】:【作者單位】:華中科技大學(xué) 華中科技大學(xué) 【關(guān)鍵詞】:電基 預(yù)應(yīng)力張拉工藝 數(shù)控 PLC控制 油泵控制 線性
2024-08-18
熱度值:454
標(biāo)簽:核電,薄膜太陽(yáng)能電,預(yù)應(yīng)力
感應(yīng)耦合輔助磁控濺射氧化鋅薄膜在銅銦硒薄膜太陽(yáng)能電池中的界面(英文)【摘要】:薄膜銅銦硒太陽(yáng)能電池由于前后電極間歐姆接觸導(dǎo)致電流損耗,高阻氧化鋅層可以消除因表面空洞或表面損壞造成的
2024-08-18
熱度值:70
標(biāo)簽:太陽(yáng)能電,薄膜太陽(yáng)能電,薄膜
太陽(yáng)能電池作為光探測(cè)器性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)【摘要】:太陽(yáng)能電池具有作為光信號(hào)探測(cè)器的特性,但是在這一方面的研究和應(yīng)用相對(duì)較少?,F(xiàn)采用了基于運(yùn)算放大器(0P-07)的電流—電壓放大電路,測(cè)定
2024-08-18
熱度值:122
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,電流
CdTe電池發(fā)展沒(méi)有捷徑——訪上海太陽(yáng)能電池研究與發(fā)展中心副主任王善力【摘要】:正碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)稱(chēng)CdTe電池,它是一種以p型CdTe和n型CdS的異質(zhì)結(jié)為基礎(chǔ)的薄膜太陽(yáng)能
2024-08-18
熱度值:151
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能
硅薄膜太陽(yáng)能電池中硅納米線形狀對(duì)光吸收率的影響【摘要】:為了研究硅薄膜太陽(yáng)能電池中硅納米線陣列的光吸收率,利用耦合波分析理論(RCWA),分別研究了按正方形排列的柱形、錐形、柱錐形
2024-08-18
熱度值:169
標(biāo)簽:硅太陽(yáng)能電池,太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能電
碘化N,N’-雙呋喃甲醛縮乙二胺合鋅(Ⅱ)的合成及其在染料敏化太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用【摘要】:合成了新型N,N’-雙呋喃甲醛縮乙二胺配體及其鋅配合物,并利用元素分析,紅外光譜和紫外-可
2024-08-18
熱度值:79
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能電,太陽(yáng)能電池,太陽(yáng)能電
電化學(xué)沉積CdS薄膜及其在CZTS薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用【摘要】:采用硫代硫酸鈉、硫酸鎘,配以有機(jī)酸NTA調(diào)節(jié)溶液pH值,首次在堿性環(huán)境中電沉積制備CdS薄膜,并將其應(yīng)用到Cu2Z
2024-08-18
熱度值:188
標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池,薄膜太陽(yáng)能電,薄膜太陽(yáng)能
非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池項(xiàng)目【摘要】:正一、項(xiàng)目概述隨著全球光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池市場(chǎng)前景看好,技術(shù)日臻成熟,光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性不斷提高。非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于其
2024-08-18
熱度值:110
標(biāo)簽:薄膜太陽(yáng)能,薄膜太陽(yáng)能電,電池