用于HIT太陽能電池的本征非晶硅薄膜

【摘要】：帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)(HIT)太陽能電池要求本征非晶硅薄膜具有生長速率低,暗電導(dǎo)大,光學(xué)帶隙寬的特點．采用等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)制備符合 HIT 太陽能電池要求的本征非晶硅薄膜,并通過分析薄膜的透射光譜,采用 Tauc 法計算了薄膜的光學(xué)帶隙, 為約1．87eV．,襯底溫度為180℃,放電功率為80W 時獲得的薄膜性能最佳． 【作者單位】：華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系
【關(guān)鍵詞】：本征非晶硅薄膜 HIT PECVD
【基金】：國家“863”計劃項目(2006AA05Z406)
【分類號】：TM914.4;TB383.2
【正文快照】： 1引言 非晶硅薄膜由于能用等離子增強化學(xué)氣相沉積 田以兵心)進(jìn)行制備，所以能實現(xiàn)低溫、大面積地沉積，目 前已被廣泛應(yīng)用于薄膜太陽能電池中.近年來，帶本征薄 層的異質(zhì)結(jié)(印助太陽能電池的出現(xiàn)111使得本征非晶硅薄 膜再次成為人們關(guān)注的熱點。因為加入本征薄層的異質(zhì)結(jié) 太

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