n-CdTe Schottky勢(shì)壘薄膜太陽(yáng)能電池中嵌入p型層對(duì)其勢(shì)壘高度影響的計(jì)算機(jī)模擬

【摘要】：通過(guò)求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，對(duì)熱平衡態(tài)金屬：ｐ－ｎ－ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ勢(shì)壘薄膜太陽(yáng)能電池進(jìn)行計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬。嵌入的ｐ型層增大傳統(tǒng)金屬：ｎ－ＣｄＴｅ結(jié)的有效Ｓｃｈｏｔｋｙ勢(shì)壘高度與ｐ型層厚度、摻雜濃度以及ｎ－ＣｄＴｅ本底電阻率有依賴關(guān)系。最后討論嵌入ｐ型層增強(qiáng)ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ勢(shì)壘太陽(yáng)能電池對(duì)光生載流子的收集作用。 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系
【關(guān)鍵詞】： CdTe基薄膜太陽(yáng)能電池 有效Schottky勢(shì)壘高度 Newton－Raphson解法
【分類號(hào)】：O242.23,TM914.4
【正文快照】： ｎ┐ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ勢(shì)壘薄膜太陽(yáng)能電池中嵌入ｐ型層對(duì)其勢(shì)壘高度影響的計(jì)算機(jī)模擬林鴻生（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系，合肥２３００２６）摘要通過(guò)求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，對(duì)熱平衡態(tài)金屬：ｐ－ｎ－ＣｄＴｅＳｃｈｏｔｋｙ勢(shì)壘薄膜太陽(yáng)能電池進(jìn)行計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬。嵌

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