a-Si:H太陽(yáng)能電池i層中氧、硼雜質(zhì)對(duì)其穩(wěn)定性影響

【摘要】：基于pin結(jié)構(gòu)的a－Si：H太陽(yáng)能電池中空間電荷效應(yīng)，討論了i層中氧、硼雜質(zhì)對(duì)其性能的影響，結(jié)果表明，氧硼雜質(zhì)存在都改變a－Si：H太陽(yáng)能電池內(nèi)部電場(chǎng)分布，不利于光生載流子收集，但i層輕度因摻雜可抑制a－Si：H太陽(yáng)能電池光誘導(dǎo)性能衰退，提高電池穩(wěn)定性。而i層氧含量和助長(zhǎng)了a－Si：H太陽(yáng)能電地光誘導(dǎo)性能衰退的發(fā)生，高于1020cm－3的氧含量是有害的。 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系!合肥 230026
【關(guān)鍵詞】： a－Si：H光誘導(dǎo)性能衰退 空間電荷效應(yīng) 載流子收集長(zhǎng)度
【分類(lèi)號(hào)】：TM914
【正文快照】： 191言Pin結(jié)構(gòu)的a－St：H太陽(yáng)能電池能量轉(zhuǎn)換效率強(qiáng)烈地依賴(lài)于其本征i層的質(zhì)量，因?yàn)樽鳛橛性磪^(qū)，i層肩負(fù)光生載流子產(chǎn)生與收集。但：－a：H薄膜制備過(guò)程中有多種雜質(zhì)侵入，如來(lái)自大氣污染C、N、O，反應(yīng)氣體CI，襯底Na、Cr以及人為摻雜P、B、Ge等，Carlson［‘］首先研究雜質(zhì)在

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