用異質(zhì)外延、在代用襯底材料上生長的碲鎘汞光伏探測器陣列的最新進展

【摘要】：正 一、概述最近幾年,Rockwell國際科學(xué)中心研究一種代用襯底材料,該材料避免了塊狀、單晶CdTe所存在的缺點,而且不降低在此襯底上生長的外延HgCdTe的質(zhì)量。這種襯底是由用適當工藝制備的單晶藍寶石薄片(其直徑典型值為2″)、以及其上液相外延生長的碲化鎘薄層(10～20μm)構(gòu)成,該藍寶石薄片經(jīng)特殊的初始表面處理。這種技術(shù)是一種外延用的CdTe代用物(PACE)技術(shù),適合用各種外延技術(shù)生 【關(guān)鍵詞】： 襯底材料 液相外延生長 單晶藍寶石 焦平面陣列 工藝制備 外延技術(shù) 中波紅外 表面處理 碲鎘汞光伏探測器 代用物
【正文快照】： 一、概述 緞近幾年,Rockwell國際科學(xué)中心研究一種代用襯底材料,該材料避免了塊狀、單晶CdTe所存在的缺點,而且不降低在此襯底上生長的外延HgCdTe的質(zhì)量。這種襯底是由用適當工藝制備的單晶藍寶石薄片(其直徑典型值為2“)、以及其上液相外延生長的啼化鍋薄層(10~20協(xié)m)構(gòu)成,

您可以在本站搜索以下學(xué)術(shù)論文文獻來了解更多相關(guān)內(nèi)容

國內(nèi)LED襯底材料的應(yīng)用現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢    高慧瑩;

LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)及研究進展    劉紅超;

SiC電力電子技術(shù)綜述    李宇柱;

藍寶石鍍膜方法研究    尹旭琴;李仰軍;衛(wèi)麗芬;武毅;劉建勛;

    

    

    

    

    

    

光電器件用GaAs襯底材料的技術(shù)發(fā)展    牛沈軍;王建利;豐梅霞;周傳新;蘭天平;

Cr,Ca:YAG的液相外延生長及其光譜特性    饒海波;成建波;高濤;黃宗琳;鞏華榮;

CVD復(fù)制技術(shù)制備ZnS頭罩    魯泥藕;霍承松;付利剛;石紅春;孫加瀅;楊海;

基于MEMS分布式移相器毫米波段材料特性分析    賀訓(xùn)軍;金博識;吳群;

硅襯底氮化鎵LED材料與器件研發(fā)進展    江風(fēng)益;

采用射頻N_2等離子體對(001)GaAs表面氮化的研究    秦志新;陳志忠;張國義;

水平法生長GaAs單晶中砷微沉淀及碳微夾雜的研究    孫貴如;李玉珍;

厚膜氮化鎵材料的HVPE生長    于廣輝;林朝通;王新中;曹明霞;雷本亮;齊鳴;李愛珍;

通孔結(jié)構(gòu)Si襯底AlGaN/GaN HFET的熱特性模擬    文于華;范冰豐;駱思偉;王鋼;劉揚;

用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生長GaN的研究    楊衛(wèi)橋;干富熹;鄧佩珍;徐軍;李抒智;張榮;

山東出臺半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃    聞澤

三年后批量產(chǎn)藍光激光器    鐘祺

我國研制成功十八英寸直拉硅單晶    記者賈西平

LED應(yīng)用處于前列 期待形成自主品牌    

北京中關(guān)村半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟成立    煜

浪潮光電子產(chǎn)業(yè)園40億元打造LED基地    哲一

GaN外延生長中的SOI柔性襯底技術(shù)研究    孫佳胤

采用MOCVD方法在Si和GaAs襯底上生長ZnO薄膜及其特性研究    崔勇國

原子層淀積高介電常數(shù)柵介質(zhì)研究    盧紅亮

并五苯性質(zhì)的研究及其場效應(yīng)晶體管的研制    陶春蘭

硅基GaN薄膜材料及紫外探測器原型器件研究    張昊翔

圖形化SOI射頻功率器件研究    程新紅

SGOI材料的SIMOX制備技術(shù)研究    陳志君

液相外延生長GaAs微探尖的質(zhì)量改進    許育波

GaAs微探尖的液相外延生長及其剝離技術(shù)    曲光偉

熱絲化學(xué)氣相沉積制備大面積金剛石薄膜工藝的研究    陳琦

RF MEMS器件集成及其功能材料應(yīng)用研究    葛羽屏

TSOP失效和多晶硅薄膜晶體管自加熱效應(yīng)的有限元分析和模擬    楊震宇

工作于1.3μm的M-Z型鈮酸鋰強度調(diào)制器的設(shè)計與制作    任雅茜

低損耗混合信號集成電路襯底研究    張磊兢

核爆模擬用集成光學(xué)強度調(diào)制器    李剛毅

以硅烷為氣源用ECR-PECVD制備多晶硅薄膜    王陽

常壓射頻低溫等離子體增強化學(xué)氣相沉積二氧化硅薄膜的研究    李立