分子束外延HgCdTe/GaAs的生長和光伏探測器的研制

【摘要】：文中報導(dǎo)了用分子束外廷工藝在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ襯底上生長了較高質(zhì)量的中、長波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生長后的材料通過退火進(jìn)行轉(zhuǎn)型和調(diào)節(jié)電性參數(shù)。選擇的組分分別為ｘ＝０．３３０和０．２２６的兩種材料，７７Ｋ時載流子濃度和遷移率分別為ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、長波線列光伏探測器，其典型的探測器Ｄ分別為５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°視場下），其中６４元線列中波探測器與ＣＭＯＳ電路芯片在杜瓦瓶中耦含后讀出并實現(xiàn)了紅外成像演示。 【作者單位】： 華北光電研究所
【關(guān)鍵詞】： 分子束外延 碲鎘汞／砷化鎵外延膜 光伏探測器
【分類號】：TN304.230.54
【正文快照】： 分子束外延ＨｇＣｄＴｅ／ＧａＡｓ的生長和光伏探測器的研制陳世達(dá)，周荷英，何先忠，林立，徐定瑞，支淑英（華北光電研究所北京１０００１５）文摘：文中報導(dǎo)了用分子束外廷工藝在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ襯底上生長了較高質(zhì)量的中、長波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生長后的材料

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