800V高電壓平臺(tái)將成新能源汽車行業(yè)未來趨勢

　　【嗶哥嗶特導(dǎo)讀】隨著電控功率密度持續(xù)提高，800V高電壓平臺(tái)將成新能源汽車行業(yè)未來趨勢。

　　12月14日，中汽數(shù)據(jù)有限公司在天津召開的行業(yè)論壇上發(fā)布了《2021節(jié)能與新能源汽車發(fā)展報(bào)告》。其中《報(bào)告》指出，電控功率密度持續(xù)提高，800V高電壓平臺(tái)將成行業(yè)未來趨勢。

　　其實(shí)，800V高電壓在新能源汽車領(lǐng)域已不再是新鮮詞匯。早在2019年，豪車品牌保時(shí)捷就推出全球首款800V車型Taycan；2020年比亞迪漢采用了800V架構(gòu)；2021年上海車展發(fā)布的e平臺(tái)3．0搭載800V架構(gòu)。隨后，華為、吉利、廣汽、小鵬、嵐圖等整車廠商或品牌紛紛推出車樁兩端的解決方案，以保障快充使用體驗(yàn)。

　　對于新能源汽車續(xù)航里程短、補(bǔ)能焦慮等問題，整車廠商也在積極滿足市場需求，尋找方案解決這一核心短板。根據(jù)充電槍和電池容量等客觀限制條件，同時(shí)為了向上兼容電池容量大的高端車快充性能，整車電壓至少達(dá)到800V。

　　從目前400V升級至800V，變化最大的零部件和元器件主要是功率半導(dǎo)體和電池負(fù)極。半導(dǎo)體器件方面，在400V電壓平臺(tái)上常用的是IGBT，而在800V電壓平臺(tái)上SiC的性價(jià)比優(yōu)于IGBT。800V高電壓平臺(tái)的優(yōu)勢在于充電速度快，而SiC器件應(yīng)用提高的是充電效率。與IGBT相比，SiC具備耐壓高、損耗低，開關(guān)頻率高等優(yōu)異性能，如果使用SiC MOSFET技術(shù)，續(xù)航里程可以提升5％以上。至少對于更長續(xù)航里程的新能源汽車來說，更高功率密度的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是必需的。短期來看，高壓方案比目前整車成本增加2％左右，但長期看，有望低于目前成本，為整車廠推廣800V高電壓平臺(tái)建立了良好基礎(chǔ)。

　　目前來看，消費(fèi)者對新能源汽車的接受度逐漸增高，發(fā)展趨勢由政策驅(qū)動(dòng)向市場驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)變。未來兩年，高端化將是整車廠主的主要戰(zhàn)場。不可否認(rèn)，升級800V高電壓平臺(tái)有利于實(shí)現(xiàn)快充，在短期內(nèi)形成對中低端車型的差異化競爭力。長期來看，快充對于中低端車型亦是剛需，800V高電壓平臺(tái)升級具備長期趨勢。

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