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SiC+800V正在聯(lián)袂而來,碳化硅終于迎來“爆發(fā)元年”

來源:新能源汽車網(wǎng)
時間:2021-12-10 17:08:31
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SiC+800V正在聯(lián)袂而來,碳化硅終于迎來“爆發(fā)元年”導|語2021,碳化硅爆發(fā)“元年”。2022年,800V爆發(fā)“元年”。作者丨王小西責編丨羅超編輯丨朱錦斌10月份,美國《華爾

導|語

2021,碳化硅爆發(fā)“元年”。2022年,800V爆發(fā)“元年”。

作者丨王小西

責編丨羅超

編輯丨朱錦斌

10月份,美國《華爾街日報》報道,全球汽車行業(yè)正把數(shù)以十億美元計的資金投向以碳化硅(SiC)材料制成的芯片。

比如通用汽車公司,其副總裁希爾潘·阿明就表示:“電動汽車用戶正追求更長的續(xù)航里程,我們把碳化硅視為電力電子設(shè)計中的一種重要材料?!?/p>

在說這話之前,通用汽車已經(jīng)與總部位于達勒姆(北卡羅來納州)的沃爾夫斯皮德公司達成了一項協(xié)議,將使用后者生產(chǎn)的碳化硅器件。

而相輔相成的是,碳化硅的崛起,跟汽車行業(yè)正在推進的800V高壓平臺系統(tǒng)算是“絕配”。在800V高壓平臺趨近的趨勢下,行業(yè)預(yù)計,未來幾年SiC功率元器件將隨著800V平臺的大規(guī)模上車進入快速爆發(fā)階段。

為什么這么說?因為,在800V甚至更高水平的平臺上,原本的硅基IGBT芯片達到了材料極限,碳化硅則具備耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢,無疑是IGBT最佳的替代方案。

作為今年熱炒的第三代功率半導體材料,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)應(yīng)用在更高階的高壓功率元器件以及高頻通訊元器件領(lǐng)域,代表5G時代的主要材料。特別是碳化硅,可謂集“萬千寵愛于一身”。

當然,碳化硅面臨的一大挑戰(zhàn)是它高企的價格。而如何確保以碳化硅芯片實現(xiàn)的成本節(jié)約效益,蓋過碳化硅芯片較高生產(chǎn)成本這一不利因素,就成為當下最重要的任務(wù)。

俗話說,榜樣的力量是無窮的,就像特斯拉所做的那樣——特斯拉數(shù)年來在功率控制芯片中使用碳化硅,效果是能量損失減少,造就更強大的發(fā)動機,提升續(xù)航里程,從TCO(總體擁有成本)的角度來講,單車成本反而下降了不少。

實際上,當下SiC+800V大熱,說不清是碳化硅成就了800V,還是800V成就了碳化硅,我們能確定的是,接下來,碳化硅替代IGBT正在成為主流。

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碳化硅的優(yōu)勢

從價格方面來說,目前國際上SiC價格是對應(yīng)硅基產(chǎn)品的5~6倍,并以每年10%的速度下降。據(jù)預(yù)測,隨著未來2~3年市場供應(yīng)加大,預(yù)計價格達到對應(yīng)硅基產(chǎn)品的2~3倍時,由系統(tǒng)成本減少和性能提升帶來的優(yōu)勢,將推動SiC逐步替代硅基IGBT等產(chǎn)品。

按照《華爾街日報》的報道,“研究者估計,根據(jù)電動車種類的不同,碳化硅相關(guān)技術(shù)可以幫助一輛車最終節(jié)約出750美元的電池成本。”也有人測算,最終使用SiC合計大約會產(chǎn)生約2000元左右的成本降低。不過,碳化硅材料的成本要接近硅基材料,估計還要等幾年。

而碳化硅價格高的原因很簡單,因為難造。碳化硅為什么那么難造?可以這么說,鉆石有多硬,它就有多硬。所以,碳化硅的制造成本在短期內(nèi)依然高企。

但是,碳化硅的優(yōu)勢卻是非常明確的。比如,體積縮小是其一,豐田的碳化硅元器件體積就要比硅基的縮小80%。此外,據(jù)相關(guān)分析數(shù)據(jù),續(xù)航方面,與使用硅基芯片的電動汽車相比,搭載SiC芯片的電動汽車行駛距離平均延長6%。

舉個國內(nèi)的例子,想比亞迪漢EV的SiC模塊同功率情況下體積較硅IGBT縮小一半以上,功率密度提升一倍。而且,根據(jù)比亞迪公司計劃,到2023年比亞迪旗下所有電動車會用SiC功率半導體全面替代IGBT。碳化硅的趨勢真是勢不可擋啊。

不過,若論及碳化硅的大規(guī)模應(yīng)用,則始于特斯拉。

2018年,特斯拉在Model 3中首次將IGBT模塊換成了碳化硅模塊。使用下來,在相同功率等級下,碳化硅模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊,并且開關(guān)損耗降低了75%。而且,換算下來,采用SiC模塊替代IGBT模塊,其系統(tǒng)效率可以提高5%左右。

當然,從成本來講,這樣并不劃算。因為逆變器的功率器件由IGBT替換成碳化硅之后,采購成本上升將近1500元。但是,因為整車效率的提升,導致電池裝機量的下降,從電池端把成本又省回來了。

從發(fā)展歷史來說,全球首款碳化硅功率半導體SiC MOSFET的推出,是在2011年。而在這之前,美國科銳(Cree)公司經(jīng)過了將近二十年的研發(fā),可謂“難產(chǎn)”。十年之后,SiC才終于迎來“爆發(fā)元年”。

而Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe還確認,公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠,使其能夠充分利用未來幾十年的增長機遇。

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