含三氯乙烷干氧氣氛中二氧化硅薄層的生長規(guī)律

【摘要】：研究了含TOA(三氯乙烷)干氧氣氛中,溫度在900～1100℃范圍內(nèi),10～100nm二氧化硅薄層的生長規(guī)律。討論了該規(guī)律的解析表達式和有關(guān)模型參數(shù)。比較了經(jīng)高溫含氧退火和未經(jīng)高溫退火所生長的氧化層的擊穿電場強度和可動離子沾污等特性。結(jié)果表明,前者優(yōu)于后者。經(jīng)含氧退火處理的薄氧化層更適用于小尺寸器件。 【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)研究所 復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)研究所
【關(guān)鍵詞】： 二氧化硅 薄膜生長 SiO_薄膜質(zhì)量。
【基金】：國家自然科學(xué)基金
【正文快照】： 一引吉 、V侶卜J 制造小尺寸MOSFET時,根據(jù)按比例縮小原則〔,〕要求柵氧化層厚度也要相應(yīng)減小.亞微米MOSFET中,柵氧化層的厚度已薄至20 nm(參見文獻〔幻第368頁).為了獲得高質(zhì)量姍氧化層,人們往往在氧氣中加入少量的含氯化合物,如Cl:,HCI,TCE(三氯乙烯)和TCA(三氯乙烷)等〔3川

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