熱生長(zhǎng)二氧化硅擊穿電壓與1,1,1三氯乙烷克分子濃度的關(guān)系

【摘要】：MOS器件柵氧化層,是在有氯源1,1,1三氯乙烷(TCA)的條件下生長(zhǎng)的。本文已給出擊穿電壓(BV)與TCA克分子濃度的關(guān)系曲線。為了考察用三氯乙烷代替三氯乙烯(TCE)是否適合,將上述結(jié)果與同樣條件下生長(zhǎng)的三氯乙烯氧化層進(jìn)行了比較。業(yè)已發(fā)現(xiàn),擊穿電壓強(qiáng)烈地依賴于三氯乙烷和三氯乙烯的克分子濃度。在p型硅上的TCA/TCE氧化層擊穿電壓與TCA/TCE克分子濃度的關(guān)系曲線上,存在一個(gè)峰值。此外,在n型硅中,TCA氧化層具有比TCE氧化層相對(duì)穩(wěn)定的擊穿電壓BV。 【關(guān)鍵詞】： 擊穿電壓 克分子濃度 氧化層 三氯乙烷 熱生長(zhǎng) 積累層 MOS電容器 p型硅 二氧化硅 反型層
【正文快照】： —-口 :MOS器件的可靠性,主要取決于Si02的質(zhì)量。在有氯源(HCl或’TCE)的情況下,熱生長(zhǎng)的干法二氧化硅有許多優(yōu)點(diǎn),例如減少r叮動(dòng)離子密度,降低了缺陷密度,改善了界面特性和增加丁存貯時(shí)間。最近,人們對(duì)TCE及它的許多衍生物發(fā)生了很大的興趣j因?yàn)門CE及其衍生物具有較小的腐蝕性

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