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激光束誘導(dǎo)電流法提取HgCdTe光伏探測(cè)器的電子擴(kuò)散長(zhǎng)度

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時(shí)間:2024-08-19 03:27:16
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激光束誘導(dǎo)電流法提取HgCdTe光伏探測(cè)器的電子擴(kuò)散長(zhǎng)度【摘要】:由于得到HgCdTe擴(kuò)散長(zhǎng)度Lp的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試結(jié)構(gòu)會(huì)損傷p-n結(jié)單元,實(shí)驗(yàn)中廣泛采用激光束誘導(dǎo)電流(LBIC)提取的等

【摘要】:由于得到HgCdTe擴(kuò)散長(zhǎng)度Lp的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試結(jié)構(gòu)會(huì)損傷p-n結(jié)單元,實(shí)驗(yàn)中廣泛采用激光束誘導(dǎo)電流(LBIC)提取的等效擴(kuò)散長(zhǎng)度L來(lái)代替Lp.本文通過(guò)二維數(shù)值模擬,分析了等效擴(kuò)散長(zhǎng)度L和擴(kuò)散長(zhǎng)度Lp的關(guān)系.二者的比例關(guān)系為L(zhǎng)/Lp=1.1,該基本關(guān)系不受器件的關(guān)鍵參數(shù)如摻雜濃度、載流子壽命、載流子遷移率等的影響.最后將激光束誘導(dǎo)電流實(shí)驗(yàn)所獲得的等效擴(kuò)散長(zhǎng)度L進(jìn)行除1.1因子的修正,給出了實(shí)際HgCdTe光伏器件中的電子擴(kuò)散長(zhǎng)度. 【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】碲鎘汞 激光束誘導(dǎo)電流 擴(kuò)散長(zhǎng)度
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):10734090;10725418) 上海-應(yīng)用材料研究與發(fā)展基金(批準(zhǔn)號(hào):08520740600) 航空科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):20080190001)資助的課題~~
【分類號(hào)】:TN215
【正文快照】: 1·引言HgCdTe探測(cè)器由于其優(yōu)良的性能已成為目前最重要的紅外探測(cè)器之一[1],而少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度是一個(gè)表征HgCdTe紅外探測(cè)器性能的關(guān)鍵參數(shù).當(dāng)碲鎘汞光伏器件p-n結(jié)電阻受擴(kuò)散限制時(shí),能通過(guò)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度直接計(jì)算出p-n結(jié)的電阻,來(lái)表示n-on-p光伏器件的性能[2,3].擴(kuò)散長(zhǎng)度

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Experimental determination of diffusion length in SWIR HgCdTe photodiodes    Jia Jia, Guibin Chen, Xiangyang Li, Haimei Gong State Key Laboratory of Sensing technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China; National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China

HgCdTe Photovoltaic Arrays Formed By B~+Ion Implantation    Yan-li Shi Sheng-Qiong Lei Yi Cai Kunming Institute of Physics, Yunnan 650223, China

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