Si基碲鎘汞光伏探測器的深能級研究

【摘要】：通過變溫I-V測試方法對中波Si基碲鎘汞光伏探測器的深能級進行了研究.首先在產(chǎn)生-復合電流為主導電流機理范圍內(nèi)對Si基碲鎘汞探測器的I-1/(kBT)曲線擬合,得到-0.01V偏壓下單元Si基碲鎘汞器件的深能級Eg/4.然后對不同偏壓下的實驗數(shù)據(jù)進行了擬合、比較,發(fā)現(xiàn)不同偏壓下起主導作用的深能級與該偏壓下的暗電流機理有較好的對應(yīng)關(guān)系.最后對-0.01V偏壓下不同面積器件的深能級進行了擬合、比較,發(fā)現(xiàn)深能級與器件面積關(guān)系不大,與理論分析相一致,驗證了實驗方法的可行性. 【作者單位】： 中國科學院上海技術(shù)物理研究所紅外成像材料與器件重點實驗室;中國科學院研究生院;
【關(guān)鍵詞】： Si基碲鎘汞 深能級 產(chǎn)生-復合電流 理想因子
【基金】：國家自然科學基金(批準號:60706012)資助的課題~~
【分類號】：TN215
【正文快照】： 1.引言Si基碲鎘汞光伏探測器具有響應(yīng)波段可調(diào)、量子效率高、介電常數(shù)小、光學吸收系數(shù)高等優(yōu)點,還可有效解決由于探測器芯片和Si讀出電路熱失配帶來的可靠性問題[1,2].但由于Si襯底與碲鎘汞材料之間較大的晶格失配(19.3%)和熱失配,使得材料在生長過程中產(chǎn)生大量失配缺陷[3],

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