Si基HgCdTe變面積光伏探測器的變溫特性研究

【摘要】：通過變面積Si基HgCdTe器件變溫I-V測試和暗電流特性擬合分析,研究了不同偏壓下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗電流成分與Si基HgCdTe材料少子擴散長度和少子壽命隨溫度的變化規(guī)律.在液氮溫度下,隨著反向偏壓的增大器件的表面漏電流在暗電流中所占比重逐漸增加.在零偏壓下,當溫度低于200 K時材料的少子擴散長度隨溫度的升高而變大,而高于200 K時材料的少子擴散長度隨溫度的降低逐漸減小.將汞空位摻雜的p型Si基HgCdTe材料少子壽命的變溫曲線與常規(guī)襯底材料的少子壽命變溫曲線進行比較,發(fā)現(xiàn)Si基HgCdTe材料少子壽命接近常規(guī)襯底外延薄膜材料水平. 【作者單位】： 中國科學院紅外成像材料與器件重點實驗室;中國科學院研究生院;
【關(guān)鍵詞】： Si基HgCdTe 少子壽命 少子擴散長度 變溫特性
【基金】：中國科學院知識創(chuàng)新工程前沿前瞻性項目(批準號:C2-53)
【分類號】：TN215
【正文快照】： 引言Si基HgCdTe紅外焦平面探測器是典型的第代紅外焦平面探測器,它具有大面陣、低成本、與讀出電路熱匹配等優(yōu)點[1-2],對推動紅外探測器在軍用和民用方面的廣泛應(yīng)用具有重要的意義[3].國外對Si基HgCdTe紅外焦平面探測器的研究開始于上世紀80年代,目前已具備6英寸Si襯底HgCdTe

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