臺(tái)面型InP/InGaAs PIN光伏探測(cè)器的p-InP低阻歐姆接觸

【摘要】：研究了電子束蒸發(fā)淀積的非合金膜系A(chǔ)u/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接觸的物理特性,通過450℃、4 min的快速退火,獲得了歐姆接觸,其比接觸電阻為7.3×10-5Wcm2。接觸電極退火后,采用離子濺射法淀積加厚電極Cr/Au。利用俄歇電子能譜(AES)進(jìn)行深度剖面分析,表明Pt層能夠相對(duì)有效地阻擋Au和InP的互擴(kuò)散,但仍會(huì)有少部分的Au穿透Pt層進(jìn)入InP層;金屬與p-InP低阻歐姆接觸的形成由界面處金屬和InP的化學(xué)及其冶金學(xué)反應(yīng)決定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接觸特性的改善。結(jié)果表明,采用合適的退火條件可以制備出低阻、表面光滑、可靠性高的歐姆接觸。 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所中國(guó)科學(xué)院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院研究生院;中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 傳輸線模型(TLM) p-InP 歐姆接觸 比接觸電阻 AES
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(61007067)
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： (1.中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海200083;2.中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所中國(guó)科學(xué)院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海200083;3.中國(guó)科學(xué)院研究生院,北京100049;4.中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海200050)L

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