光伏行業(yè)深度報(bào)告：雙面雙玻組件發(fā)展預(yù)測(cè)

:光伏產(chǎn)品的終端應(yīng)用場(chǎng)景是一個(gè)設(shè)計(jì)壽命 20 年以上、投資回收期可長(zhǎng)達(dá) 10 年以上的公用事業(yè)屬性行業(yè)，意味著終端客戶擁有天然的低風(fēng)險(xiǎn)偏好，這對(duì)新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的推廣造成天然阻力。一項(xiàng)光伏產(chǎn)業(yè)中的新 事物（如材料或工藝的變化）要實(shí)現(xiàn)快速推廣，通常只有兩條途徑：

1）這種提效/降本的變化不會(huì)顯著改變產(chǎn)品的物理/化學(xué)特性，即可靠 性無(wú)需實(shí)證環(huán)境下的長(zhǎng)期驗(yàn)證，如近年來(lái)快速普及的電池片半切工藝；

2）這種變化能帶來(lái)產(chǎn)品性價(jià)比的“顯著”提升，使理論投資回收期大 幅縮短，令終端客戶愿意為此承擔(dān)一定風(fēng)險(xiǎn)。典型代表如金剛線切割 工藝、PERC 電池技術(shù)的引入，以及由此引發(fā)的單晶替代多晶的大潮，這也是近年來(lái)光伏行業(yè)內(nèi)唯一真正稱得上成功“顛覆”、并對(duì)產(chǎn)業(yè)格局 產(chǎn)生重大影響的技術(shù)與產(chǎn)品變化。

我們認(rèn)為，雙面組件對(duì)單面組件的替代邏輯，將與單晶替代多晶有一定相 似性?；仡櫡治鰡味嗑娲^(guò)程，我們判斷雙面組件即將迎來(lái)滲透率的快 速提升，而光伏玻璃將是雙面組件普及的最大獲益者。此外，光伏玻璃行 業(yè)本身的競(jìng)爭(zhēng)格局、行業(yè)特點(diǎn)也與當(dāng)年的單晶硅片環(huán)節(jié)呈現(xiàn)一定相似性。我們判斷當(dāng)前的光伏玻璃類似 2016 年的單晶硅片，光伏玻璃龍頭信義、福萊特有望復(fù)制單晶龍頭隆基、中環(huán)成功之路，在未來(lái) 2~3 年內(nèi)享受行業(yè) 增長(zhǎng)、雙面滲透率提升、市占率提升三重增速疊加帶來(lái)的持續(xù)高增長(zhǎng)。

單多晶之爭(zhēng)中，市場(chǎng)轉(zhuǎn)向滯后于性價(jià)比反轉(zhuǎn)。2016 年底單晶即達(dá)到電 站單位投資與多晶持平的臨界點(diǎn)，但投資商采購(gòu)傾向未立刻反轉(zhuǎn)，2017 年單多晶組件價(jià)差持續(xù)縮小。彼時(shí)電站投資商更多基于直觀的組 件價(jià)格進(jìn)行產(chǎn)品選型，單瓦價(jià)格更低的多晶組件仍有吸引力。2017 年 底單多晶組件幾乎達(dá)到單瓦同價(jià)，對(duì)市場(chǎng)形成直觀、強(qiáng)烈的沖擊，同 價(jià)前提下單晶一切優(yōu)點(diǎn)均為“免費(fèi)贈(zèng)送”。此后單晶價(jià)值獲終端認(rèn)可，市占率快速提升，并逐步恢復(fù)相對(duì)多晶理應(yīng)具備的產(chǎn)品溢價(jià)。

目前雙面組件的處境與 2016年左右的單晶類似，臨近拐點(diǎn)：目前雙面 組件單瓦價(jià)格仍略高于單面組件，但考慮背面發(fā)電增益的度電成本已 優(yōu)于單面組件，然而這種“度電成本優(yōu)勢(shì)”因涉及較多參數(shù)假設(shè)而不 易獲得投資商認(rèn)可。我們判斷光伏薄玻璃價(jià)格逐步合理化后雙玻組件 可與單面組件達(dá)到同價(jià)，且 2.0mm 玻璃的應(yīng)用也將在很大程度上解決 雙玻組件重量痛點(diǎn)，屆時(shí)在建設(shè)成本同價(jià)、背面發(fā)電增益完全“贈(zèng)送”的情況下，電站投資商對(duì)雙面雙玻組件的接受度將快速大幅提升。

光伏玻璃競(jìng)爭(zhēng)格局亦類似 2014-2016 年的單晶硅片，光伏玻璃龍頭有 望復(fù)制隆基中環(huán)的成功。1）行業(yè)進(jìn)入壁壘較高，龍頭憑借技術(shù)、資源、規(guī)模優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)顯著優(yōu)于行業(yè)均值的成本與利潤(rùn)率；2）龍頭企業(yè)處于快 速擴(kuò)產(chǎn)期，除龍頭外其他企業(yè)鮮有擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作；3）雙寡頭格局清晰。我 們判斷，信義、福萊特有望復(fù)制隆基、中環(huán)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)銷規(guī)模、市場(chǎng)份 額、行業(yè)地位及經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)的全面提升。

單晶成長(zhǎng)回顧：?jiǎn)味嗑е疇?zhēng)中，市場(chǎng)轉(zhuǎn)向明顯滯后于性價(jià)比反轉(zhuǎn)

現(xiàn)象：?jiǎn)味嗑е疇?zhēng)中，市場(chǎng)轉(zhuǎn)向明顯滯后于性價(jià)比反轉(zhuǎn)

階段一（2016 年）：性價(jià)比反轉(zhuǎn)，但單晶份額未明顯提升：2016 年上半年 及之前，單多晶組件價(jià)差顯著大于合理價(jià)差，單晶組件沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。2016 年下半年起：1）單晶成本下降使實(shí)際價(jià)差拉近；2）單多晶組件功率 差拉開(kāi)使合理價(jià)差擴(kuò)大。單多晶組件實(shí)際價(jià)差開(kāi)始低于合理價(jià)差，意味著 性價(jià)比反轉(zhuǎn)，使用單晶產(chǎn)品將使終端電站獲得更低度電成本，理性投資者 應(yīng)優(yōu)先選擇單晶產(chǎn)品。然而，從市場(chǎng)數(shù)據(jù)來(lái)看投資者并未轉(zhuǎn)向單晶產(chǎn)品，2016 年單晶市占率與 2015 年幾乎持平。

階段二（2017 年）：?jiǎn)尉Х蓊~提升，但溢價(jià)持續(xù)減少甚至為零：彼時(shí)單晶 硅片產(chǎn)能尚未大幅擴(kuò)張+性價(jià)比高的情況下，單晶未變強(qiáng)勢(shì)，反而單多晶組 件價(jià)差繼續(xù)縮小，甚至在 2017 年底接近同價(jià)，說(shuō)明市場(chǎng)依然傾向多晶產(chǎn) 品，單晶市占率的提升（+11~12pct）更多是以利潤(rùn)換市場(chǎng)。

階段三（2018 年至今）單晶價(jià)值獲市場(chǎng)認(rèn)可，市占率提升并恢復(fù)合理溢價(jià)：2017 年底單多晶組件達(dá)到幾乎同價(jià)，對(duì)市場(chǎng)形成直觀、強(qiáng)烈的沖擊，且單 晶已在此前較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持相當(dāng)高性價(jià)比后，單晶組件的價(jià)值才逐步被市 場(chǎng)認(rèn)可。此后 2018-2019 年單晶組件市占率快速提升至 70%左右，且單多 晶組件實(shí)際價(jià)差逐步拉開(kāi)并向合理價(jià)差靠攏。市場(chǎng)轉(zhuǎn)向明顯滯后于性價(jià)比 反轉(zhuǎn)，體現(xiàn)出光伏電站建設(shè)投資商對(duì)于“非直觀性價(jià)比優(yōu)勢(shì)”的保守態(tài)度。

在單晶價(jià)值被市場(chǎng)認(rèn)可后，單晶市占率的提升速度主要由單晶硅片擴(kuò)產(chǎn)速 度決定（2020 年之前單晶硅片供應(yīng)整體偏緊）。2019 年下半年單多晶組件 價(jià)差縮小的原因是 1）多晶組件價(jià)格已接近現(xiàn)金成本，降無(wú)可降；2）單晶 組件需提升相對(duì)性價(jià)比才能在土地等面積相關(guān)成本更低地區(qū)替代多晶組件。

單晶能實(shí)現(xiàn)相對(duì)多晶的性價(jià)比逆轉(zhuǎn)，是因?yàn)槌杀鞠陆担ń饎偩€切割）、效率 優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大（PERC導(dǎo)入）、領(lǐng)跑者基地項(xiàng)目對(duì)高效產(chǎn)品的引導(dǎo)。

單多晶性價(jià)比反轉(zhuǎn)原因 1：PERC技術(shù)拉開(kāi)單多晶效率差與合理價(jià)差

PERC 電池片制作僅需增加背鈍化與激光開(kāi)槽工序，與存量電池產(chǎn)線兼容，且效率提升明顯，但 PERC 技術(shù)對(duì)單晶電池的提效幅度顯著高于多晶電池，（分別為單晶 1.0-1.2%、多晶 0.5-0.8%），PERC 技術(shù)的導(dǎo)入拉大了單多 晶的效率差。隨著 PERC 技術(shù)普及，主流單多晶組件功率差由 15W 擴(kuò)大 到 25W以上，合理價(jià)差由 0.15 元/W以下擴(kuò)大至 0.22~0.35 元/W（基于面 積相關(guān) BOS成本 500 元/塊組件）。

單多晶性價(jià)比反轉(zhuǎn)原因 2：金剛線切割縮小單多晶硅片成本差距

單晶導(dǎo)入金剛線切割比多晶早 2 年左右：2014 年隆基加速推廣金剛線切片 技術(shù)（西安+無(wú)錫合計(jì) 2GW 切片產(chǎn)能導(dǎo)入），2015 年全面完成金剛線切片 對(duì)傳統(tǒng)砂漿切片的替代，同時(shí)其他單晶大廠啟動(dòng)金剛線切割規(guī)?；瘧?yīng)用，2016 年滲透率達(dá)到 80%以上。由于金剛線切片應(yīng)用于多晶時(shí)產(chǎn)生的工藝 和硅片表面物理特性障礙，直到 2017 年黑硅技術(shù)應(yīng)用后才開(kāi)始規(guī)?；瘜?dǎo) 入，2018 年才基本實(shí)現(xiàn)對(duì)砂漿切割的替代。

金剛線切割使單晶硅片成本下降 0.6-0.8 元/片。2015-2017 年，單晶憑借 率先導(dǎo)入金剛線切割，成本幾乎追平砂漿切割的多晶硅片：1）金剛線切割 與砂漿切割相比，線徑變細(xì)及刀損降低帶來(lái)出片量提升，減少單片硅耗并 攤薄長(zhǎng)晶等成本；2）金剛線切片機(jī)切割速度是傳統(tǒng)砂漿切片機(jī) 2-3 倍，產(chǎn) 能的提升可以攤薄切片的折舊、電費(fèi)和人工成本。

由于金剛線切割多晶硅片線耗更高、切速較低，且金剛線切割的多晶硅片 表面反射率高，需疊加黑硅制絨技術(shù)，使成本上升 0.1-0.2 元/片。因此，2017-2018 年多晶逐步導(dǎo)入金剛線切割硅片后獲得的降本幅度也不如單晶，金剛線切割技術(shù)的普及使單多晶硅片成本永久性縮小。