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解圍多晶硅技術(shù)之困!光伏技術(shù)大咖出高招

來源:新能源網(wǎng)
時間:2017-04-07 09:39:42
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解圍多晶硅技術(shù)之困!光伏技術(shù)大咖出高招3月28日,“2017多晶硅電池技術(shù)路線和發(fā)展趨勢研討會”在北京中土大廈舉行。研討會上,眾多光伏技術(shù)方面的專家學(xué)者紛紛為多晶硅電池技術(shù)的發(fā)展建

3月28日,“2017多晶硅電池技術(shù)路線和發(fā)展趨勢研討會”在北京中土大廈舉行。

研討會上,眾多光伏技術(shù)方面的專家學(xué)者紛紛為多晶硅電池技術(shù)的發(fā)展建言獻策。

萬躍鵬 保利協(xié)鑫能源控股有限公司首席技術(shù)官

“金剛線切多晶硅片是性價比提升的關(guān)鍵,金剛線+黑硅+PERC的產(chǎn)業(yè)化推廣將有效增加多晶硅片的競爭力?!北@麉f(xié)鑫能源控股有限公司首席技術(shù)官萬躍鵬表示,“金剛線切割+濕法黑硅+PERC能使效率提升1.2%,性價比提升0.2元/pc。該技術(shù)具有很好的產(chǎn)業(yè)化推廣前景,晶科能源PERC+黑硅量產(chǎn)效率達到了20.5%,天合光能P型多晶電池實驗室效率也達到了21.25%?!?/p>

會上,萬躍鵬為與會者詳細分析了“多晶硅片性價比提升之道”。他還指出,超級多晶或鑄錠單晶是鑄錠技術(shù)演進的終極高效產(chǎn)品,其與直拉單晶的效率差小于0.5%,成本比直拉單晶低0.5元/片以上,性價比卓越。該產(chǎn)品具有很強的發(fā)展?jié)摿?,有望顯著提升多晶硅片的性價比優(yōu)勢。

王文靜 中國科學(xué)院電工研究所太陽電池技術(shù)實驗室主任

當(dāng)下,PERC電池市場增長迅速,每年增長15GW。但如同所有技術(shù)一樣,PERC電池技術(shù)同樣面臨挑戰(zhàn),主要問題在于光至衰減(LID),為此,中國科學(xué)院電工研究所太陽電池技術(shù)實驗室主任王文靜從單晶PERC電池的LID光衰、多晶PERC電池的LeTID光衰、PERC電池效率對于硅片的電阻率更為敏感、PERC電池的鈍化損傷影響成品率、可能會出現(xiàn)的更加低成本PERC技術(shù)這五個方面,詳細地為與會者分析了“單多晶PERC電池的問題”。

賈銳 中國科學(xué)院微電子研究所太陽電池及系統(tǒng)應(yīng)用研究中心主任

中國科學(xué)院微電子研究所太陽電池及系統(tǒng)應(yīng)用研究中心主任賈銳以“多晶硅太陽電池效率提升途徑研究”為題演講并進行了詳實的分析,他表示“多晶硅電池的效率提升還有著巨大的空間,經(jīng)我們的計算表明,多晶電池效率,通過各方面的優(yōu)化,產(chǎn)業(yè)化效率可以達到21%以上,樂觀估計能達到22%;隨著金剛線切割、黑硅技術(shù)的發(fā)展,多晶硅在未來3-5年內(nèi),還將占據(jù)市場的主流地位;n型多晶硅電池,為P型多晶硅的可持續(xù)發(fā)展提供了一條新的路徑?!?/p>

鄭加鎮(zhèn)協(xié)鑫集成科技股份有限公司研發(fā)中心執(zhí)行總裁

會上,協(xié)鑫集成科技股份有限公司研發(fā)中心執(zhí)行總裁鄭加鎮(zhèn)詳細為與會者介紹“多晶黑硅PERC電池技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化進展”,鄭加鎮(zhèn)認為濕法黑硅方案(MCCE)將成為有競爭力的選擇方案,“經(jīng)過光伏產(chǎn)業(yè)鏈的共同努力,直接制絨或黑硅技術(shù)已經(jīng)漸成熟并進入量產(chǎn),有效解決金剛線切割硅片制絨難的問題;多晶PERC光衰減問題,通過燒結(jié)溫度優(yōu)化及氫鈍化技術(shù),也得到有效解決,光衰減可以控制在1%以下;經(jīng)過協(xié)鑫集成的驗證,濕法黑硅PERC電池平均效率超過19.5%,干法黑硅PERC電池平均效率超過19.8%(最高達20.4%)。在多晶電池技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的過程中,協(xié)鑫執(zhí)行多頭并進的電池及組件產(chǎn)品路線?!?/p>

王栩生 阿特斯(中國)投資有限公司技術(shù)高級總監(jiān)

阿特斯(中國)投資有限公司技術(shù)高級總監(jiān)王栩生表示黑硅技術(shù)+金剛線切片將引領(lǐng)未來多晶技術(shù)。

他介紹,2011-2014年多晶硅的市場份額3倍于單晶硅,主要因為高質(zhì)量鑄錠工藝的應(yīng)用以及制造成本的降低。但單晶硅的市場份額在2016年有所攀升,這得益于拉晶技術(shù)的突破,金剛線切片技術(shù)的推廣,以及電池端PERC技術(shù)的導(dǎo)入。未來單多晶硅競爭還是依賴于電池效率提升的速度和制造成本降低的速度之間的博弈。

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