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太陽能電池片常見缺陷處理

來源:新能源網(wǎng)
時間:2020-03-20 20:45:06
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太陽能電池片常見缺陷處理:摘要:針對晶體硅太陽電池缺陷的檢測問題,利用多種測試設備(EL、PL、Corescan等),在電池制作的主要工序段(擴散、鍍膜、印刷、燒結)對硅片和電池片

:摘要:針對晶體硅太陽電池缺陷的檢測問題,利用多種測試設備(EL、PL、Corescan等),在電池制作的主要工序段(擴散、鍍膜、印刷、燒結)對硅片和電池片進行檢測,歸納和總結了電池的各種典型缺陷的成因,利用這些檢測手段和分析結果,能夠及時有效地反饋生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的缺陷類型,有利于生產(chǎn)工藝的改進和質(zhì)量的控制。

(來源:微信公眾號“摩爾光伏”)

1、引言

晶硅太陽能電池在制造過程中通常采用制絨、擴散、刻蝕、PECVD、印刷、燒結幾道工序,由于一些機械應力、熱應力及人為等不穩(wěn)定因素的存在,會不可避免的造成硅片的一些隱性缺陷如污染、裂紋、擴散不均勻等,這類缺陷的存在大大降低了電池片的光電轉(zhuǎn)換效率,導致公司增加經(jīng)濟損失。利用多種測試設備如EL、PL、corescan等檢測硅片、半成品電池及成品電池存在的各種隱形缺陷,改善工藝參數(shù),降低產(chǎn)品的不合格率,為公司提高成品率,大大的降低成本。

2、檢測設備工作原理

2.1光致發(fā)光(PL)

PL是檢測原材料的有效方法,如Fig.2-1所示,以大于半導體硅片禁帶寬度的光作為激發(fā)手段,激發(fā)硅中的載流子,當撤去光源后,處于激發(fā)態(tài)的電子屬于亞穩(wěn)態(tài),在短時間內(nèi)會回到基態(tài),這一過程中會釋放波長為1100nm的光子,光子被靈敏的CCD相機捕獲,得到硅片的輻射復合圖像[1]。

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Fig.2-1光致發(fā)光

2.2電致發(fā)光(EL)

EL與PL工作原理相似,但不同之處在于激發(fā)非平衡載流子的方式不同,即在電池的正向偏壓下,注入非平衡載流子(Fig.2-2)。

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Fig.2-2電致發(fā)光

2.3微波光電導衰減法(u-PCD)

u-PCD主要包括904nm的激光注入產(chǎn)生電子-空穴對(Fig.2-3a),導致樣品的電導率增加,當撤去外界光注入時(Fig.2-3b),電導率隨時間指數(shù)衰減,這一趨勢間接反應少數(shù)載流子的衰減趨勢,從而通過微波探測電導率隨時間變化的趨勢得到載流子的壽命。

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Fig.2-3a激光激發(fā)

Fig.2-3b微波探測

2.4方塊電阻掃描(SHR)

SHR測試探頭在中心有一個激光源(Fig.2-4),緊跟著有兩個同心圓環(huán)形電容電極,激光的頻率可以調(diào)整。激光注入產(chǎn)生電子空穴,內(nèi)建電場將電子空穴分離,將產(chǎn)生表面勢,表面勢反映了SHR信號并且向橫向擴散,內(nèi)外探頭獲取表面勢。硅片的方阻通過在兩個電容電極測量電勢的比率計算。

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Fig.2-4SHR

2.5串聯(lián)電阻掃描(Corescan)

Corescan的掃描頭包含一個光源和金屬探針(Fig.2-5),掃描過程中,將電池片短路連接,掃描頭以固定的掃描間距、速度移動,光源照射在電池片上產(chǎn)生光生電流,同時金屬探針在電池片表面劃動,測量光照位置的電壓值,電壓值即表征了電池片正面的串聯(lián)電阻的大小。

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Fig.2-5Corescan

3、結果及討論

3.1原材料缺陷

原材料的優(yōu)劣影響電池片的光電轉(zhuǎn)換效率,有效的檢測原材料的優(yōu)劣,降低原材料的不合格率,能夠直接減少經(jīng)濟損失。Fig.3-1所示為“黑芯片”的PL圖片,在光照條件下,黑色區(qū)域存在大量的缺陷,它們起到復合中心作用,使得載流子在此處復合時發(fā)出較弱的光,而溫場不均勻造成的位錯或雜質(zhì)氧沉淀導致黑芯片的產(chǎn)生,其電池片的電性能一般顯示為Irev、Rs略高、Rsh較正常,Voc稍低,只是Isc明顯偏小。

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Fig.3-1黑芯片

Fig.3-2a為“四角黑”電池片的EL圖片,腐蝕掉正背面電極、氮化硅、PN結后測試其少子壽命,如Fig.3-2c所示,從圖中可看出,電池片黑角區(qū)域的壽命相對正常區(qū)域嚴重偏低,說明此處存在大量的缺陷,可能原因是硅棒在拉制過程中,外層有污染或有晶體缺陷產(chǎn)生,而導致硅材料的性能下降。一般電池片的電性能顯示為Voc稍低,Isc明顯偏小,其余性能參數(shù)較正常。

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Fig.3-2四角黑

從附表1的IV數(shù)據(jù)可以看出,整體暗電池片的Voc比正常片低了12mv,通過Fig.3-3的EL圖像(同一亮度)可以明顯看出兩片電池片的差異。腐蝕兩片電池片的氮化硅薄膜、正背面電極、電場及PN結后測得整體暗的電池片平均壽命為8.76us,而正常片的平均壽命為11.45us(Fig.3-3c、d),原材料中含有過多的雜質(zhì)導致復合增加是造成Voc偏低的主要原因。

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Fig.3-3整體暗

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