光伏組件PID問題知多少？

:1引言

太陽能是未來具有廣泛應(yīng)用前景的新能源，近幾年的研究表明，存在于晶體硅光伏組件中的電路與其接地金屬邊框之間的高電壓，會造成組件的光伏性能的持續(xù)衰減，業(yè)內(nèi)稱之為電位誘導(dǎo)衰減（PID）。本文揭示PID形成機理并依據(jù)相關(guān)測試標(biāo)準，在實驗室再現(xiàn)了PID現(xiàn)象，探討溫度、濕度及電壓等因素對組件PID效應(yīng)的影響，從而為降低甚至避免組件PID效應(yīng)提供支持。

2 PID的形成機理

PID效應(yīng)現(xiàn)象最容易在潮濕的條件下發(fā)生，且其活躍程度與潮濕程度相關(guān)；同時組件表面被導(dǎo)電性、酸性、堿性以及帶有離子的物體的污染程度，也與上述衰減現(xiàn)象發(fā)生有關(guān)。在實際的應(yīng)用場合，晶體硅光伏組件的PID現(xiàn)象已經(jīng)被觀察到，基于其電池結(jié)構(gòu)和其他構(gòu)成組件的材料及設(shè)計型式的不同，PID現(xiàn)象可能是在其電路與金屬接地邊框存在電壓偏置的條件下發(fā)生。

到目前為止，漏電流形成的機理實際上還不是十分的清楚?？傮w而言，由于封裝材料對電池進行封裝后所形成的絕緣系統(tǒng)對于上述漏電流而言是不完善的，同時推測來自于鈉鈣玻璃的金屬離子是形成上述具有PID效應(yīng)的漏電流的主要載流介質(zhì)（如圖1）。

圖1漏電流路徑

3實驗室再現(xiàn)

本中心進行PID主要方式有兩種：一種是高溫高濕環(huán)境下給組件內(nèi)部電路和邊框施加負電壓，另一種是將玻璃表面覆蓋銅箔置于高溫環(huán)境中并給組件內(nèi)部電路和邊框施加負電壓，覆蓋銅箔可以提供相對高濕環(huán)境更良好的導(dǎo)電介質(zhì)，加速PID效應(yīng)。本文試驗中使用的均是P型晶硅組件，故施加的偏置電壓均為負電壓。

試驗設(shè)備：電壓源、數(shù)據(jù)采集儀、定值電阻、環(huán)境箱。

3.1將組件A表面覆蓋銅箔至邊框，將組件A的正負極引出端短接后接到電壓源的負極，電壓源的正極連接到組件的接地孔，利用環(huán)境箱加熱組件至75℃，并通過電壓源施加負壓1000V至組件內(nèi)部電路和邊框上持續(xù)19小時后試驗停止，組件功率變化如表1：

由表中數(shù)據(jù)得出A組件在PID19h后功率衰減為54.44%，衰減相當(dāng)嚴重，由此可見PID效應(yīng)對組件功率的輸出影響很大，試驗過程中通過引入定值電阻監(jiān)控PID漏電流曲線如圖2所示：

3.2將經(jīng)過PID試驗后組件如3.1步驟連接，此時更改電壓源輸出為+1000V，持續(xù)3h后試驗停止，組件功率變化如表2：

由表2可以得出PID效應(yīng)是可以恢復(fù)的，組件功率升高了98.8W，實現(xiàn)了功率的部分恢復(fù)，恢復(fù)過程漏電流曲線如圖3所示：

試驗前后對組件EL圖像進行追蹤，如圖4所示：

由上圖可發(fā)現(xiàn)，組件在PID測試后EL圖像出現(xiàn)較大面積的暗片，組件的串聯(lián)電阻增大，并聯(lián)電阻減小，填充因子降低；在恢復(fù)試驗后暗片消失，組件的串聯(lián)電阻減小，并聯(lián)電阻增大，填充因子升高。上述現(xiàn)象能反應(yīng)電池片少子的分布情況，暗片部位少子躍遷機率降低，而電致發(fā)光強度隨少子的擴散長度的增加而增加，所以EL圖像變化與外界偏壓的改變導(dǎo)致少子擴散長度的變化有關(guān)。

4偏置電壓對PID效應(yīng)的影響

選取相同批次、相同材料的3件組件（X、Y、Z），組件玻璃面無銅箔覆蓋，組件按3.1步驟進行連接，在60℃85%RH環(huán)境中分別施加500V、1000V、1500V的偏壓1.5小時后測試組件功率，組件功率變化如表3所示：

測試過程中漏電流監(jiān)控曲線如圖5：

圖5漏電流曲線

由圖5可得出，漏電流隨著偏置電壓的升高而增大，Z組件功率衰減了14.2%，X、Y組件功率并沒有明顯的變化。

5溫度對PID效應(yīng)的影響

選取相同批次、相同材料的4件組件(B、C、D、E)，B、C、D組件玻璃面均用銅箔覆蓋至邊框，組件按3.1步驟進行連接，分別在35℃、60℃、85℃環(huán)境中施加負壓1000V1小時后，測試組件功率及拍EL圖片，然后再進行2小時相同的試驗；E組件玻璃面不覆蓋銅箔，組件按3.1步驟進行連接，在85℃環(huán)境中（無濕度控制）施加負壓1000V4小時，組件功率變化如表4所示：

測試過程中漏電流監(jiān)控曲線如圖6：

圖6漏電流曲線

由圖6可得出，單一組件溫度由常溫升到設(shè)定溫度時，漏電流值不斷增大；組件設(shè)定溫度由35℃升高到85℃時，對應(yīng)的漏電流值也不斷增大；漏電流隨著試驗的進行并不會無限制的增大，在組件溫度趨于穩(wěn)定時也慢慢平穩(wěn)；E組件和D組件相比說明了銅箔的作用是非常明顯的，高濕表面或含良好導(dǎo)電介質(zhì)的表面PID效應(yīng)會比干燥的玻璃表面強很多，另外從E組件和D組件漏電流曲線和功率情況衰減來看，我們可以推測玻璃在形成漏電流回路中起著重要的作用。

試驗前后對B、C、D組件EL圖像進行追蹤，如圖7所示：

圖7組件EL變化圖

6濕度對PID效應(yīng)的影響

選取相同批次、相同材料的3件組件（F、G、H），組件玻璃面無銅箔覆蓋，組件按3.1步驟進行連接，分別在30℃35%RH、30℃60%RH、30℃85%RH環(huán)境中施加負壓1000V1小時后測試組件功率，其功率變化如表5：

測試過程中漏電流監(jiān)控曲線如圖8：

圖8漏電流曲線

由圖8可得出，3件組件在第1小時內(nèi)組件的漏電流隨濕度的升高而增大，但由于溫度較低功率幾乎沒變；H組件在30℃85%RH下經(jīng)歷了66小時的試驗后功率衰減了30.3%，可以推測在相同組件溫度下，較低濕度的情況下功率衰減需要更長的時間；結(jié)合溫度對PID的影響來看，高溫高濕環(huán)境組件的PID效應(yīng)更劇烈。

7邊框?qū)ID效應(yīng)的影響

試驗選取4件相同批次、相同材料的雙玻組件（無金屬邊框）進行PID測試，測試分別按以下方式進行：

L組件：組件背面中間貼40cm*20cm的銅箔，組件短接后連到電壓源的負極，正極用夾子接觸銅箔；

M組件：組件背面中間貼40cm*20cm的銅箔，正面全覆蓋銅箔至距離邊緣1cm處，組件短接后連到電壓源的負極，正極用夾子接觸40cm*20cm的銅箔；

N組件：組件背面中間貼40cm*20cm的銅箔，正面全覆蓋銅箔至背面2cm，類似形成銅箔邊框，組件短接后連到電壓源的負極，正極用夾子接觸40cm*20cm的銅箔；

P組件：組件正面全覆蓋銅箔至背面2cm，類似形成銅箔邊框，組件短接后連到電壓源的負極，正極用夾子接觸銅箔邊框；

每一件組件測試時都保持在75℃環(huán)境下，持續(xù)施加4小時的偏壓1000V，監(jiān)控漏電流曲線如圖9所示：

圖9漏電流曲線

試驗后進行功率測試，L、M、N組件測試前后功率波動在1%以內(nèi)，只有P組件衰減了14.54%，對比P組件前后EL圖片如圖10：

圖10組件EL變化圖

由L、M、N組件漏電流不斷增大可認為組件表面貼銅箔、裝金屬邊框都提高了漏電回路的導(dǎo)通性，銅箔和金屬邊框都是良好的電導(dǎo)體，降低了漏電回路的電阻值；P組件正極用夾子接觸銅箔邊框，相比N組件減小了銅箔邊框至40cm*20cm的銅箔的電阻值，從而導(dǎo)致漏電流升高明顯，引起了組件功率的衰減。無金屬邊框的組件很難形成外電路與內(nèi)部電池之間的漏電回路，即使形成漏電回路可能效應(yīng)也是十分微弱的，因此我們推斷無金屬邊框組件具有一定的抗PID特性。

8結(jié)論與展望

本文通過實驗室模擬組件外界使用環(huán)境，重現(xiàn)了組件的PID效應(yīng)。大自然氣候變化多端，組件的PID效應(yīng)隨著溫度，濕度，偏壓的升高會不斷增強、輸出功率會隨之下降，這顯然不是我們所希望見到的，但是PID效應(yīng)對組件功率輸出并不是毀滅性的，在特定條件下是可以恢復(fù)的。通過本文的研究，從組件層面上降低PID效應(yīng)，我們需要增加外部電路與內(nèi)部電池片間的絕緣電阻，減小漏電流，或許選用良好絕緣性能的封裝材料是不錯的選擇，另外無邊框的雙波組件在試驗中體現(xiàn)了一定的抗PID特性，因此邊框也是解決PID效應(yīng)的一個考慮因素；但是從組件層面上解決問題是不完善的，組件很大范圍都是在電站中使用，這就要求組件在電站中使用時如何避免引起PID效應(yīng)的偏壓的出現(xiàn)。在室外進行組件PID試驗也是以后研究的一個方向，可以更真實的體現(xiàn)組件在戶外PID效應(yīng)的情況。任重而道遠，筆者相信在業(yè)界同仁的一起努力下PID效應(yīng)很快會得到徹底解決。

參考文獻

[1] IEC 82_685_NP System voltage durability test for crystalline silicon modules-Qualification and type approval

[2] J.Berghold Potential Induced Degradation of solar cells and panels

[3] J.A.del Cueto Analysis of Leakage Currents in Photovoltaic Modules under High-Voltage Bias in the field

原標(biāo)題:PID問題知多少？