國務(wù)院關(guān)于印發(fā)《2024—2025年節(jié)能降碳行動方案》的通知
意法半導(dǎo)體(ST)推出先進(jìn)的1200V IGBT,可實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源
意法半導(dǎo)體(ST)推出先進(jìn)的1200V IGBT,可實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源 意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipo
意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機(jī)、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。
意法半導(dǎo)體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達(dá)15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標(biāo)準(zhǔn)集極電流和100°C下的典型值),這能確保總體損耗降至最低,在20kHz開關(guān)頻率下更高效地工作。
此外, 新款1200V IGBT提供集成高速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的選項(xiàng),以助力開發(fā)人員優(yōu)化硬開關(guān)電路的性能,使用續(xù)流二極管大幅降低開關(guān)電路的能源損耗。
新款I(lǐng)GBT的耐用性極強(qiáng),當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無閂鎖效應(yīng),短路時(shí)間極短,僅5µs(在150°C 初始結(jié)溫時(shí))。最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175°C,有助于延長產(chǎn)品的使用壽命,簡單化系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)。寬安全工作區(qū)(SOA,Safe Operating Area)提升大功率應(yīng)用的工作可靠性。
優(yōu)異的防電磁干擾(EMI,electromagnetic interference)是新產(chǎn)品的另一大優(yōu)點(diǎn),這歸功于新系列產(chǎn)品在開關(guān)過程中取得近乎理想的波形,令競爭產(chǎn)品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度系數(shù),結(jié)合器件之間參數(shù)分布緊密,使其在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更安全的并行工作。
意法半導(dǎo)體的H系列IGBT現(xiàn)已量產(chǎn),采用TO-247封裝,有15A、25A和 40A三個型號。
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