首頁 > 新能源汽車

開關電源的“死區(qū)時間”是怎么回事?

來源:新能源汽車網(wǎng)
時間:2023-04-19 16:05:00
熱度:

開關電源的“死區(qū)時間”是怎么回事?基于常規(guī)的Buck 變換器,續(xù)流二極管換為MOSFET,即為同步Buck 變換器。如果選用較低導通電阻的MOSFET 作為同步管代替續(xù)流二極管,即

基于常規(guī)的Buck 變換器,續(xù)流二極管換為MOSFET,即為同步Buck 變換器。如果選用較低導通電阻的MOSFET 作為同步管代替續(xù)流二極管,即使使用肖特基二極管,同步MOSFET 的導通損耗將大大低于肖特基續(xù)流二極管的功耗。



其實我們在實際設計過程中,圖5.1的電路越來越少被使用。這種Buck電路被稱為非同步Buck,因為作為開關管的MOSFET只有一個就是Q1。Buck控制器芯片需要控制Q1的時序,但是不需要控制二極管。在非同步Buck電路中,二極管是不需要控制的,也不存在開關管同步的問題。

同步和非同步的區(qū)別從外部來看,非同步Buck電流有續(xù)流的二極管,同步Buck電路沒有續(xù)流的二極管,取而代之是一個開關管。

非同步Buck電路,二極管續(xù)流(二極管與電感形成一個通路,二極管為電感保持電流持續(xù),電流從二極管通過)期間,二極管兩端的電壓相對恒定,表現(xiàn)為二極管的“正向導通壓降”VF。這個特性導致非同步壓降電路在二極管上消耗的能量比較大,所以非同步Buck的效率比較低。因為其電路特點不需要復雜的控制,控制器成本也比較低。

同步電源控制器的上管,和下管(同步開關管)組成一個半橋的結構。

(1)非同步Buck電路基本工作原理分析

當開關管Q1驅動為高電平時,開關管導通,儲能電感L1被充磁,流經(jīng)電感的電流線性增加,同時給電容C1充電,給負載R1提供能量。非同步Buck變換器基本電路的開關管導通等效為短路,二極管反向截止等效于斷路,這個狀態(tài)的等效電路如圖5.3 所示。

圖5.3 開關管導通狀態(tài)下的等效電路

當開關管Q1驅動為低電平時,開關管關斷,儲能電感L1通過續(xù)流二極管放電,電感電流線性減少,輸出電壓靠輸出濾波電容C1放電以及減小的電感電流維持,等效電路如圖5.4 所示。

圖5.4開關管關斷狀態(tài)下的等效電路

(2)同步Buck電路基本工作原理分析

當上管導通,即為開關管Q1驅動為高電平時,此時下管關閉,即為開關管Q2驅動為低電平,儲能電感L1被充磁,流經(jīng)電感的電流線性增加,同時給電容C1充電,給負載提供能量。同步Buck變換器基本電路的上管導通等效為短路,下管關閉等效于斷路,這個狀態(tài)的等效電路如圖5.5所示。

圖5.5 同步Buck電路上管導通狀態(tài)下的等效電路

當上管Q1驅動為低電平時,上管關斷,此時下管Q2驅動電平為高電平,下管導通,儲能電感L1通過續(xù)流二極管放電,電感電流線性減少,輸出電壓靠輸出濾波電容C1放電以及減小的電感電流維持,等效電路如圖5.6 所示。

圖5.6 同步Buck電路的上管關斷狀態(tài)下的等效電路

但是,所謂同步是相對的,兩個開關管的控制不可能完全嚴絲合縫的正好一個打開,一個關閉。所以控制器遵循一個原則:寧可錯殺一千,不可放過一個。寧可兩個開關管同時關閉,不讓電流通過,也不讓兩個開關管有機會同時打開,讓電流直接從Vin流經(jīng)兩個開關管,與地面短路。

因此二者的驅動信號間必須有一定的死區(qū)時間以防止輸入回路的短路直通,即在死區(qū)時間,兩個開關管都不導通。

我們需要理解,任何控制器都需要控制避免上下管同時打開,如果出現(xiàn)這個狀態(tài),則非常容易出現(xiàn)燒管情況,因為相當于通過上下管把輸入電源和GND進

行了短路。

為了避免這種狀態(tài),只好在上管關閉之后,等待一個時間段,再對下管進行打開的操作。而在兩個MOSFET都關閉的狀態(tài),我們就稱為死區(qū)時間。這個時間,主要依賴下管的寄生二極管進行續(xù)流,實現(xiàn)輸出電流的一個回路,如圖5.28所示。

此時的功耗,就是下管的寄生二極管的功耗,也就是二極管的正向導通壓降(Vd(on))乘以此時的電流。在開關開關的過程中,會有兩個階段經(jīng)歷死區(qū)時間td1和td2,td1表示上管和下管都關閉,下管剛關閉,上管還沒打開,在此之前電流一直下降,此時電流為;經(jīng)歷了上管打開的過程之后,上管關閉,在此之前電流一直在增大,此時電流為,上管關閉之后上管與下管都關閉,此時經(jīng)歷一個td2,如圖所示。

所以下管的死區(qū)時間功耗計算公式如下:


兩個時間段,電流略有區(qū)別,兩個時間段td1和td2,上下管的驅動電壓UGATE和LGATE都是低電平,也就是兩個MOSFET都是截止狀態(tài)。電流從下管的寄生二極管通過電流,計算下管死區(qū)時間的功耗,就是這兩個時間段流經(jīng)寄生二極管的電流乘以二極管的正向導通電壓,再乘以兩個死區(qū)的時間,除以周期時間,就是死區(qū)時間的平均功耗。