賽普拉斯2Mb/8Mb nvSRAM無(wú)需電池即可提供儲(chǔ)存功能

賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Cypress）日前推出2Mb與8Mb非揮發(fā)性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，新元件具備20ns存取時(shí)間、無(wú)限次數(shù)讀寫(xiě)及記憶周期、20年資料保存等特色，適合需要持續(xù)高速寫(xiě)入資料，并要求安全的應(yīng)用，如伺服器、RAID、工業(yè)控制、汽車、醫(yī)療、數(shù)據(jù)通訊系統(tǒng)。

　　CY14B102 2Mb nvSRAM與CY14B108 8Mb nvSRAM均符合ROHS環(huán)保規(guī)章，能直接取代SRAM、電池供電SRAM、EPROM與EEPROM等元件，不需使用電池就能提供可靠的非揮發(fā)資料儲(chǔ)存功能。在關(guān)閉電源時(shí)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)把SRAM儲(chǔ)存的資料傳送到元件的非揮發(fā)儲(chǔ)存元件。在啟動(dòng)電源時(shí)，再把資料從非揮發(fā)存儲(chǔ)器回存到SRAM。

　　兩種作業(yè)都在軟件的控制下執(zhí)行。新款nvSRAM采用Cypress的S8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，SONOS)嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，具備更高密度，并能改善存取時(shí)間與效能。

　　新的2Mb與8Mb nvSRAM產(chǎn)品提供一個(gè)即時(shí)時(shí)脈功能，結(jié)合最低的待機(jī)振蕩器電流與最高效能的整合式存儲(chǔ)器，可經(jīng)由非揮發(fā)性存儲(chǔ)器支持，為發(fā)生事件加上時(shí)間戳記。

　　相較于電池備援的SRAMS，nvSRAM所需電路板空間更少、設(shè)計(jì)復(fù)雜度更低，而且比MRAM或鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)更經(jīng)濟(jì)。新的nvSRAM也是Cypress所推出一系列nvSRAM中的最新產(chǎn)品，包括16Kbit、64Kbit、256Kbit、1Mbit與4Mbit的nvSRAM元件，皆已量產(chǎn)供貨。

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