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【專(zhuān)家解說(shuō)】：我們回顧薄膜硅太陽(yáng)能電池的領(lǐng)域與一些個(gè)測(cè)微表的一種活躍層數(shù)厚度的。 這些技術(shù)比常規(guī)模塊可能潛在地導(dǎo)致低成本通過(guò)更低的物質(zhì)費(fèi)用，但是不遭受其他薄膜技術(shù)一些重要缺點(diǎn)，例如基本材料有限的組分的供應(yīng)或毒力。 無(wú)定形的技術(shù)是最舊和最佳的建立的薄膜硅技術(shù)。 無(wú)定形的硅被放置在與等離子改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)的低溫。 竟管這材料的根本局限由于它的混亂，技術(shù)現(xiàn)在獲取工業(yè)動(dòng)量由于設(shè)備制造商詞條與經(jīng)驗(yàn)的與大區(qū)域PECVD。