摻硼納米非晶硅的太陽能電池窗口層應(yīng)用研究

【摘要】：本文通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)法沉積p型納米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系統(tǒng)地研究了摻雜氣體比(B2H6/SiH4)、沉積溫度、射頻電源功率對薄膜結(jié)構(gòu)、光學(xué)、電學(xué)性能的影響。研究表明,輕摻硼有利于非晶硅薄膜晶化,但隨著摻硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜變?yōu)榉蔷B(tài);與p型a-Si∶H相比,摻硼納米硅薄膜的光學(xué)帶隙Eopt較高,電導(dǎo)率較高,電導(dǎo)激活能較低,是一種很有潛力的太陽能電池窗口層材料。 【作者單位】： 浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 等離子體增強化學(xué)氣相沉積 納米非晶硅 硼摻雜 摻雜比 光學(xué)帶隙
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(No.2007CB613403)(973計劃) 浙江省科技計劃項目納米技術(shù)攻關(guān)及示范應(yīng)用專項(No.2006C11118) 高等學(xué)校科技創(chuàng)新工程重大項目培育資金項目(No.705026)
【分類號】：O484.1
【正文快照】： 鑒于常規(guī)能源(煤、石油、天然氣)供給的有限性和環(huán)境污染的雙重壓力,許多國家都在致力于開發(fā)清潔、無污染、取之不盡的太陽能。太陽能電池的成功開發(fā),為大規(guī)模利用太陽能并最終取代常規(guī)能源奠定了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。晶體硅作為太陽電池材料一直保持著統(tǒng)治地位[1],但受原材料供

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