摻硼納米非晶硅的太陽(yáng)能電池窗口層應(yīng)用研究

【摘要】：本文通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法沉積p型納米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系統(tǒng)地研究了摻雜氣體比(B2H6/SiH4)、沉積溫度、射頻電源功率對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、光學(xué)、電學(xué)性能的影響。研究表明,輕摻硼有利于非晶硅薄膜晶化,但隨著摻硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜變?yōu)榉蔷B(tài);與p型a-Si∶H相比,摻硼納米硅薄膜的光學(xué)帶隙Eopt較高,電導(dǎo)率較高,電導(dǎo)激活能較低,是一種很有潛力的太陽(yáng)能電池窗口層材料。 【作者單位】： 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 納米非晶硅 硼摻雜 摻雜比 光學(xué)帶隙
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(No.2007CB613403)(973計(jì)劃) 浙江省科技計(jì)劃項(xiàng)目納米技術(shù)攻關(guān)及示范應(yīng)用專(zhuān)項(xiàng)(No.2006C11118) 高等學(xué)?？萍紕?chuàng)新工程重大項(xiàng)目培育資金項(xiàng)目(No.705026)
【分類(lèi)號(hào)】：O484.1
【正文快照】： 鑒于常規(guī)能源(煤、石油、天然氣)供給的有限性和環(huán)境污染的雙重壓力,許多國(guó)家都在致力于開(kāi)發(fā)清潔、無(wú)污染、取之不盡的太陽(yáng)能。太陽(yáng)能電池的成功開(kāi)發(fā),為大規(guī)模利用太陽(yáng)能并最終取代常規(guī)能源奠定了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。晶體硅作為太陽(yáng)電池材料一直保持著統(tǒng)治地位[1],但受原材料供

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