Si(111)7×7清潔表面的總電流譜

【摘要】：用自制的總電流譜儀對Si(111)7×7清潔表面進行了測量,得到A,B,C,D四個譜峰的能量位置分別在真空能級以上2.6,5.2,8.6和12.9eV。樣品飽和吸氫后表面峰A消先。用帶間躍遷模型對實驗結果作了初步分析。 【作者單位】： 復旦大學表面物理實驗室 復旦大學表面物理實驗室 復旦大學表面物理實驗室
【關鍵詞】： 清潔表面 帶間躍遷 總電流 實驗結果 真空能級 譜儀 表面態(tài) 譜峰 入射電子 態(tài)密度分布
【正文快照】： 由于硅是目前應用最為廣泛的半導體材料,因此其表面物理特性的研究一直是表面科學中的重要課題,其中尤以si(111)7×7再構的清潔表面最為引人注目“叫’. 總電流譜(total curreilt spectroscopy,簡稱’I"CS)是通過測量樣品電流隨低能人射電子能量的變化來研究表面電子態(tài)的新技

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