InAs和InSb(111)清潔表面存在In島的實驗證據(jù)

【摘要】：用電子能量損失譜證實了,在超高真空中用氬離子刻蝕所獲得的 InAs(111)和 InSb(111)清潔表面上會形成In島.而生成In島的容易程度按InP、IuAs、InSb的次序遞減. 【作者單位】： 復旦大學表面物理實驗室 復旦大學表面物理實驗室 復旦大學表面物理實驗室
【關鍵詞】： 離子刻蝕 清潔表面 實驗證據(jù) InAs 體等離子體 表面等離子體 損失譜 InSb 化合物半導體 等離子體振蕩
【正文快照】： 實驗已經(jīng)證實“一習,在超高真空中用氫離子刻蝕所獲得的InP清潔表面上不可避免地會存在In島.含In的m一V族化合物半導體除InP外還有InAs和Insb,它們在膩離子刻蝕作用下表面是否也會生成In島?本文的實驗證實,氫離子刻蝕形成In島是所有這三種化合物的共同特征,但不同的In化合物

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