太陽能硅制備過程濕法提純SiO_2的工藝優(yōu)化

【摘要】：考察了HF質(zhì)量分?jǐn)?shù)、H2C2O4質(zhì)量分?jǐn)?shù)、HNO3質(zhì)量分?jǐn)?shù)、酸浸時(shí)間、粒徑、液體質(zhì)量與固體質(zhì)量的比值(簡(jiǎn)稱液固比,下同)等因素對(duì)混酸法提純SiO2工藝過程的影響,利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(ICP-OES)、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)進(jìn)行表征。結(jié)果表明,最佳工藝條件為:w(HF)=2%、w(H2C2O4)=3%、w(HNO3)=30%、酸浸時(shí)間4 h、粒徑100～120目、液固比4∶1、酸浸溫度30℃。Fe、Al、Ca、P雜質(zhì)的去除率分別達(dá)到99.99%、14.02%、73.27%、60.00%,經(jīng)混酸法處理后SiO2中雜質(zhì)總量的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降至1.465×10-4。 【作者單位】： 廈門大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 太陽能硅 二氧化硅 濕法冶金 酸浸 提純
【分類號(hào)】：TQ127.2
【正文快照】： 在太陽能級(jí)多晶硅(SoG-Si)制備的多種工藝[1-5]中,冶金法在節(jié)能與環(huán)保方面體現(xiàn)了極大的優(yōu)勢(shì)[6]。其中,將濕法冶金作為火法制備SoG-Si的預(yù)處理工序,能夠大幅降低雜質(zhì)含量,提高火法冶金的成品率[7]。若改傳統(tǒng)的濕法提純冶金硅為濕法提純?cè)蟂iO2,不僅能有效避免雜質(zhì)引入[1],還

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