Zn還原SiCl_4制取太陽能級多晶硅法的應(yīng)用研究

【摘要】：隨著世界和國內(nèi)PV市場的快速發(fā)展,低成本、高效率的多晶硅生產(chǎn)方法重新受到產(chǎn)業(yè)界人士的關(guān)注,其中Zn還原SiCl4法因其投資成本低、轉(zhuǎn)換效率高、能耗低、對環(huán)境影響小且能滿足PV高純硅的要求等優(yōu)點成為研究的重點。本文從Zn還原SiCl4制取太陽能級多晶硅的原理、工藝技術(shù)以及與其他方法的比較分析可以得出Zn還原SiCl4將是今后低成本生產(chǎn)太陽能級多晶硅的重點發(fā)展方向。 【作者單位】： 樂山職業(yè)技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： Zn 還原 SiCl 太陽能級多晶硅
【分類號】：TQ127.2
【正文快照】： 前言在光伏產(chǎn)業(yè)中,多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)原料影響著光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展,近兩年僅樂山已投資建設(shè)的多晶硅規(guī)模已達9960噸,規(guī)劃和在建項目18000噸。多晶硅的生產(chǎn)工藝主要有西門子法/改良西門子法、硅烷熱分解法、流化床法以及冶金法[1];目前全國已建和在建的多晶硅產(chǎn)業(yè)線90%采用

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