因應(yīng)全球節(jié)能風(fēng)潮功率MOSFET 提升能源效率
因應(yīng)全球節(jié)能風(fēng)潮功率MOSFET 提升能源效率【摘要】:正簡(jiǎn)介用戶對(duì)于節(jié)能與小尺寸的需求,正不斷推動(dòng)功率轉(zhuǎn)換區(qū)塊的發(fā)展。AC/DC與DC/DC轉(zhuǎn)換器拓樸的持續(xù)演進(jìn),也使得轉(zhuǎn)換器的
【關(guān)鍵詞】: 功率轉(zhuǎn)換器 導(dǎo)通電阻 封裝 提升 電壓范圍 并行處理 整體裝置 因應(yīng) 節(jié)能 有效率
【分類號(hào)】:TN386.1
【正文快照】: 簡(jiǎn)介用戶對(duì)于節(jié)能與小尺寸的需求,正不斷推動(dòng)功率轉(zhuǎn)換區(qū)塊的發(fā)展。AC/DC與DC/DC轉(zhuǎn)換器拓樸的持續(xù)演進(jìn),也使得轉(zhuǎn)換器的效率不斷提升。功率MOSFET是功率轉(zhuǎn)換器的核心部件,更是高效能設(shè)計(jì)的基本要素。MOSFET設(shè)計(jì)的改善,讓電路設(shè)計(jì)者可更有效提升產(chǎn)品層級(jí)之性能;切換頻率和其它關(guān)
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IR推出采用PQFN封裝的20V、25V及30V MOSFET,適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用 IRFH6200TRPbF具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻
共漏極雙功率MOSFET封裝研究 畢向東;
埋層低摻雜漏SOI高壓器件的擊穿電壓 李琦;王衛(wèi)東;張楊;趙秋明;
Vishay推出尺寸極小的新款低壓模擬開(kāi)關(guān)
羅姆“全球首次”開(kāi)始量產(chǎn)SiC制功率晶體管 鄭冬冬;
功率電子器件的現(xiàn)狀和最新進(jìn)展 許平;劉鹿生;
功率VDMOSFET核心工藝參數(shù)的優(yōu)化研究 趙志桓;姜維賓;韓希方;張禮;李惠軍;李東華;
IR新型-30V P溝道功率MOSFET使設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單靈活
用IGBT代替MOSFET的可行性分析 崔萬(wàn)恒;趙忠禮;孟玉茹;
新產(chǎn)品
150A/150V低導(dǎo)通電阻VDMOS器件的研究 劉道廣;王均平;黃新;陳思敏;周偉松;張斌;王培清;
用阱作高阻漂移區(qū)的LDMOS導(dǎo)通電阻的解析模型 孟堅(jiān);高珊;陳軍寧;柯導(dǎo)明;孫偉鋒;時(shí)龍興;徐超;
新型高耐壓大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 陳永真;
高壓VDMOS結(jié)終端技術(shù)研究 胡佳賢;韓雁;張世峰;張斌;韓成功;
SiC寬禁帶功率器件研究進(jìn)展 孫再吉;
薄外延P埋層雙RESURF LDMOS仿真設(shè)計(jì) 鄭欣;方健;
現(xiàn)代功率器件與智能功率集成電路 陳啟秀;
功率MOSFET并聯(lián)分流特性研究 徐長(zhǎng)杰;李月恒;于文靜;康小麓;鐵軍;王曉純;
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一種用于電力電子領(lǐng)域的新型功率器件:氮化鎵高電子遷移率晶體管 張乃千;任勉;李震;
發(fā)展中的溝槽柵MOS器件 吳
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)簡(jiǎn)介 江蘇 蘇俊
ST推出微歐功率MOSFET 提高并聯(lián)服務(wù)器電源能效 王林
大功率靜電感應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介 成都 acsc
提升功率半導(dǎo)體性能 寬禁帶器件產(chǎn)業(yè)化起航 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院長(zhǎng)江特聘教授 盛況
DC-DC變換器的高頻數(shù)字脈寬調(diào)制控制器集成電路(3) cyf 編譯
IRFP管簡(jiǎn)介 福建 張建平
定時(shí)集成電路CD4541BE應(yīng)用兩例 山東 郎筠 馬存兵 郎東風(fēng) 陳立新
高效率DC/DC PWM降壓型穩(wěn)壓IC MAX1685簡(jiǎn)介 武漢 路石 摘編
同類IC中尺寸最小
功率集成電路兼容技術(shù)的研究 洪慧
LDMOS的可靠性和溫度特性研究 孟堅(jiān)
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高速高精度ADC集成電路的研究與設(shè)計(jì) 王繼安
SOI橫向高壓器件耐壓模型和新器件結(jié)構(gòu)研究 郭宇鋒
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高速SERDES接口芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)研究 韋雪明
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