等離子體CVD法在P-SiN膜太陽能電池中的應用

【摘要】：利用 Ｐ－ＣＶＤ法在 Ｐ—ｎ硅太陽能電池上面形成非晶氮化硅防反射膜。利用改變 Ｐ－ＣＶＤ的工作參數(shù)很容易控制 ａ－ＳｉＮ－ＡＲＣ膜的反射指數(shù)，所以理論上可以形成很匹配的 ＡＲＣ膜。 利用這種技術(shù)生產(chǎn)的帶有 ＡＲＣ 薄膜的硅太陽能電地在實用轉(zhuǎn)換效率方面提高了 ４６％，與非鍍膜的太陽能電池相比，短路電流提高 ４３％。 【關(guān)鍵詞】： 太陽能電池 等離子體CVD P-Si 折射率 原子比 防反射膜 C形 初始真空度 基板溫度 轉(zhuǎn)換效率
【正文快照】： 互.前首 作為單晶硅太陽能電池的防反射膜(以下簡稱ARC)來說,一般是LI SIO、TIO。及A12O3等膜通過蒸鍍法和濺射法而獲得的。近年來,也有采用陽極氧化法、熱CVD法以及旋壓法等方法?，F(xiàn)通過采用等離子體CVD法的非晶硅氮化膜以及等離子硅氮化膜(以下簡稱P一出N膜)的結(jié)果表明,太

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