非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)中本征膜的初步研究

【摘要】：本文介紹在近代物理實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有設(shè)備的基礎(chǔ)上,利用等離子刻蝕機(jī)改裝為成膜主機(jī),用射頻輝光放電方法制備了本征非晶硅膜,并利用激光喇曼光譜儀等設(shè)備進(jìn)行了初步分析。 【關(guān)鍵詞】： 非晶硅 本征膜
【正文快照】： 引’‘·言 ’非晶態(tài)物理是當(dāng)前物理學(xué)研究的一個(gè)重要方向,是凝聚態(tài)物理的一個(gè)十分活躍的前沿領(lǐng)域,·并成為材料科學(xué)的重要分支之一。非晶態(tài)物理中的非晶態(tài)半導(dǎo)體的研究目前特別引起人們的重視,各國(guó)都以非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的研究做為突破點(diǎn)。盡管R .C.Chilli。k等人于1969

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