多晶GaP/CuInS_2異質(zhì)結(jié)太陽能電池的光電流及轉(zhuǎn)換效率的計算與分析

【摘要】：本文根據(jù)半導(dǎo)體材料的性能參數(shù)對5μm厚度GaP/CuInS_2異質(zhì)結(jié)單晶和多晶薄膜太陽電池在各種摻雜濃度下的光伏特性作了較嚴(yán)格的分析與計算。要計算中具體考慮到耗盡區(qū)密度W(或光電壓V)的變化以及內(nèi)表面復(fù)合損失對光電流J_L的影響,此外還用晶界復(fù)合損失模型計算了晶粒度對光電流及光伏特性的影響。發(fā)現(xiàn)存在一個最佳化的CulnS_2摻雜濃度Na_(max),對于單晶和R=4μm的多晶電池,Na_(max)=10~(16)/cm~3,相應(yīng)的最大轉(zhuǎn)換效率η分別為16.2％和15.2％。 【作者單位】：
【關(guān)鍵詞】： 太陽電池 多晶 異質(zhì)結(jié) 計算
【正文快照】： 序言 在卜vl族和I一I一vl族化合物半導(dǎo)體中,有不少可成為良好的廉價光伏材料.因為這些材料具有以下幾方面的特點:(l)其禁帶寬度灼一般在1.0一1、sv的光伏適用范圍;(2)具有直接能隙、光吸收系數(shù)大,很薄的厚度就可充分吸收陽光;這適合制作薄膜太陽能電池,(3)在薄膜制作方法上可

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