摻雜室沉積本征微晶硅材料及其在太陽能電池中的應用(英文)

【摘要】：在摻雜P室采用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積( VHF-PECVD)技術,制備了不同硅烷濃度條件下的本征微晶硅薄膜.對薄膜電學特性和結構特性的測試結果分析表明:隨硅烷濃度的增加,材料的光敏性先略微降低后提高,而晶化率的變化趨勢與之相反; X射線衍射( XRD)測試表明材料具有(220)擇優(yōu)晶向.在P腔室中用VHF-PECVD方法制備單結微晶硅太陽能電池的i層和p層,其光電轉換效率為4.7 %,非晶硅/微晶硅疊層電池(底電池的p層和i層在P室沉積)的效率達8.5 %. 【作者單位】： 南開大學光電子薄膜器件與技術研究所 南開大學光電子薄膜器件與技術天津市重點實驗室 光電信息技術科學教育部重點實驗室(南開大學
【關鍵詞】： 甚高頻等離子體增強化學氣相沉積 本征微晶硅 太陽能電池
【基金】：國家高技術研究發(fā)展規(guī)劃(批準號:2007AA05Z436) 國家重點基礎研究發(fā)展規(guī)劃(批準號:2006CB202602 ,2006CB202603) 國家自然科學基金(批準號:60506003) 南開大學博士啟動基金(批準號:J02031) 科技部國際合作重點項目(批準號:2006DFA62390) 教育部新世紀人才計劃資助項目~~
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 1 IntroductionMicrocrystalline silicon (μc-Si :H) thin fil ms areof great interest for their potential applications inso-lar cells due to their lowapparent band gap,high sta-bility ,and low process cost[1 ,2].The preparation andcharacteristic research o

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