甲烷在硅底靶上吸附的計(jì)算機(jī)模擬研究

【摘要】：采用Tersoff和Brenner作用勢,用分子動力學(xué)模擬方法,研究了甲烷入射到硅(001)-(2×1)表面的動力學(xué)過程.通過定點(diǎn)入射模擬計(jì)算出6個(gè)代表點(diǎn)的吸附閾值,分析了多種吸附結(jié)構(gòu).計(jì)算了隨機(jī)入射的吸附概率.討論了入射位置以及甲烷荷能大小對吸附結(jié)構(gòu)的影響. 【作者單位】： 內(nèi)蒙古民族大學(xué)物理與電子信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 甲烷 硅底靶 吸附 類金剛石
【基金】：內(nèi)蒙古民族大學(xué)資助項(xiàng)目(MDX2008028) 內(nèi)蒙古民族大學(xué)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)資助項(xiàng)目
【分類號】：O561;TP391.9
【正文快照】： 1引言金剛石具有優(yōu)良的化學(xué)與物理性能,如耐腐蝕化學(xué)穩(wěn)定性好,高硬度、低摩擦系數(shù)、耐磨、熱導(dǎo)率高、絕緣好、透光波段寬,其禁帶寬度為5.45eV,大于所有已知的半導(dǎo)體材料,以及良好的生物相容性等,能廣泛應(yīng)用于機(jī)械、電子、化學(xué)、軍事、航空航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域,但天然金剛石少

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