淺談提高LED節(jié)能燈取光效率的封裝技術(shù)

　　節(jié)能：半導體LED若要作為照明光源，通例產(chǎn)物的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比，隔斷甚遠。因此，LED節(jié)能燈要在照明范疇生長，關(guān)鍵是要將其發(fā)光服從、光通量進步至現(xiàn)有照明光源的品級。功率型LED所用的外延質(zhì)料接納MOCVD的外延生長技能和多量子阱結(jié)構(gòu)，固然其內(nèi)量子服從還需進一步進步，但得到高發(fā)光通量的最大停滯還是芯片的取光服從低。現(xiàn)有的功率型LED的計劃接納了倒裝焊新結(jié)構(gòu)來進步芯片的取光服從，改造芯片的熱特性，并通過增大芯片面積，加大事變電流來進步器件的光電轉(zhuǎn)換服從，從而得到較高的發(fā)光通量。除了芯片外，器件的封裝技能也舉足輕重。關(guān)鍵的封裝技能工藝有：

　　散熱技能

　　傳統(tǒng)的指示燈型LED封裝結(jié)構(gòu)，一樣平常是用導電或非導電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺上，由金絲完成器件的表里毗連后用環(huán)氧樹脂封裝而成，其熱阻高達250℃/W～300℃/W，新的功率型芯片若接納傳統(tǒng)式的LED封裝情勢，將會由于散熱不良而導致芯片結(jié)溫靈敏上升和環(huán)氧碳化變黃，從而造成器件的加快光衰直至失效，以致由于靈敏的熱膨脹所產(chǎn)生的應力造成開路而失效。

　　因此，敷衍大事變電流的功率型LED芯片，低熱阻、散熱良好及低應力的新的封裝結(jié)構(gòu)是功率型LED器件的技能關(guān)鍵?？山蛹{低阻率、高導熱性能的質(zhì)料粘結(jié)芯片；在芯片下部加銅或鋁質(zhì)熱沉，并接納半包封結(jié)構(gòu)，加快散熱；以致計劃二次散熱裝置，來低落器件的熱阻。在器件的內(nèi)部，添補透明度高的柔性硅橡膠，在硅橡膠蒙受的溫度范疇內(nèi)(一樣平常為-40℃～200℃)，膠體不會因溫度猛然變革而導致器件開路，也不會出現(xiàn)變黃征象。零件質(zhì)料也應充實思量其導熱、散熱特性，以得到良好的團體熱特性。

　　二次光學計劃技能

　　為進步器件的取光服從，計劃外加的反射杯與多重光學透鏡。

　　功率型LED白光技能

　　常見的實現(xiàn)白光的工藝要領(lǐng)有如下三種：

　　(1)藍色芯片上涂上YAG熒光粉，芯片的藍色光引發(fā)熒光粉發(fā)出540nm～560nm的黃綠光，黃綠光與藍色光合成白光。該要領(lǐng)制備相對簡單，服從高，具有實用性。缺點是布膠量同等性較差、熒光粉易沉淀導致出光面勻稱性差、色調(diào)同等性欠好；色溫偏高；顯色性不敷抱負。

　　(2)RGB三基色多個芯片或多個器件發(fā)光混色成白光，大概用藍+黃綠色雙芯片補色產(chǎn)生白光。只要散熱得法，該要領(lǐng)產(chǎn)生的白光較前一種要領(lǐng)穩(wěn)固，但驅(qū)動較龐大，別的還要思量差別顏色芯片的差別光衰速率。

　　(3)在紫外光芯片上涂RGB熒光粉，利用紫光引發(fā)熒光粉產(chǎn)生三基色光混色形成白光。由于現(xiàn)在的紫外光芯片和RGB熒光粉服從較低，仍未到達實用階段。我們以為，照明用W級功率LED產(chǎn)物要實現(xiàn)財產(chǎn)化還必須管理如下技能標題：

　　1.粉涂布量控制：LED芯片+熒光粉工藝接納的涂膠要領(lǐng)，通常是將熒光粉與膠殽雜后用分派器將其涂到芯片上。在利用歷程中，由于載體膠的粘度是動態(tài)參數(shù)、熒光粉比巨大于載體膠而產(chǎn)生沉淀以及分派器精度等因素的影響，此工藝熒光粉的涂布量勻稱性的控制有難度，導致了白光顏色的不勻稱。

　　2.片光電參數(shù)共同：半導體工藝的特點，決定同種質(zhì)料同一晶圓芯片之間都大概存在光學參數(shù)(如波長、光強)和電學(如正向電壓)參數(shù)差別。RGB三基色芯片更是如許，敷衍白光色度參數(shù)影響很大。這是財產(chǎn)化必須要管理的關(guān)鍵技能之一。

     第1頁/共3頁   首頁   下一頁   上一頁   尾頁