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太陽能電池用砷化稼單晶(GB/T 25075-2010)

來源:新能源網(wǎng)
時(shí)間:2015-08-05 00:58:45
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太陽能電池用砷化稼單晶(GB/T 25075-2010)1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用砷化稼單晶棒(以下簡稱砷化稼單晶棒)的分類、技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法和規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存

1范圍   本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用砷化稼單晶棒(以下簡稱砷化稼單晶棒)的分類、技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法和規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。   本標(biāo)準(zhǔn)適用于制造砷化稼太陽能電池的砷化稼單晶滾圓棒。   2規(guī)范性引用文件   下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。   GB/T 1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法   GB/T 4326非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法   GB/T 8760砷化稼單晶位錯(cuò)密度的測量方法   3要求   3.1分類   砷化稼單晶棒按導(dǎo)電類型分為n型和p型兩種類型。   3.3外形尺寸   砷化嫁單晶棒的外形尺寸應(yīng)符合表1的規(guī)定,表中未列出外形尺寸及允許偏差由供需雙方協(xié)商解決。   3.4外觀   砷化稼單晶棒滾圓后的棒體表面及棒的兩個(gè)截面上不允許存在超過2 mm2的崩痕或崩邊。   3.5電學(xué)性能   砷化嫁單晶棒的電學(xué)性能應(yīng)符合表2的規(guī)定。   3.6晶向及晶向偏離度   砷化稼單晶棒取向?yàn)椋?lt;100>,<111>,滾圓后的晶向偏離不大于0.5°(當(dāng)客戶對晶向參數(shù)有特殊要求時(shí)由供需雙方在合同中確定)。   3.7位錯(cuò)密度和分布要求   砷化稼單晶棒的位錯(cuò)密度和位錯(cuò)類型和分布要求應(yīng)符合表3的規(guī)定,當(dāng)客戶對晶體位錯(cuò)密度參數(shù)和位錯(cuò)類型及分布有特殊要求時(shí)由供需雙方在合同中確定。   4檢驗(yàn)方法   4.1外形尺寸   用精度0.02mm的游標(biāo)卡尺進(jìn)行測量。   4.2外觀   用測量顯微鏡進(jìn)行觀察和測量。   4.3電阻率   按GB/T 4326規(guī)定的測量方法進(jìn)行。   4.4遷移率   按GB/T 4326規(guī)定的測量方法進(jìn)行。   4.5載流子濃度   按GB/T 4326規(guī)定的測量方法進(jìn)行。   4.6晶向及晶向偏差   按GB/T 1555規(guī)定的測定方法進(jìn)行。   4.7位錯(cuò)密度   按GB/T 8760規(guī)定的測量方法進(jìn)行。   4.8位錯(cuò)類型和分布   在砷化稼單晶棒位錯(cuò)密度測量合格后,按表3中的位錯(cuò)類型和分布要求用測量顯微鏡進(jìn)行觀察,如在晶棒檢測樣片直徑的1/20邊緣外出現(xiàn)上述位錯(cuò)排或位錯(cuò)團(tuán),則需再從晶棒檢測樣片位置向內(nèi)延伸3mm以上再切1片,進(jìn)行位錯(cuò)坑腐蝕并用測量顯微鏡觀察,以判斷位錯(cuò)排或位錯(cuò)團(tuán)是否向晶棒軸心方向延伸。   5檢驗(yàn)規(guī)則   5.1檢驗(yàn)和驗(yàn)收   5.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)質(zhì)量監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn),保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。   5.1.2需方可對收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行檢驗(yàn)。若發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量不符合本標(biāo)準(zhǔn)或合同要求時(shí),應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起1個(gè)月內(nèi)向供方提出,由供需雙方協(xié)商解決。   5.2組批   每根砷化稼單晶棒構(gòu)成一個(gè)批。   5.3檢驗(yàn)項(xiàng)目、規(guī)則及判據(jù)   每根砷化嫁單晶棒首先進(jìn)行外形尺寸、外觀的檢驗(yàn);然后在合格的每根砷化嫁單晶棒頭和尾各切一片晶片,將砷化稼單晶棒頭部所切晶片按照表4的規(guī)定進(jìn)行電阻率、遷移率、載流子濃度和晶向的檢驗(yàn),將砷化稼單晶棒尾部所切晶片按照表4的規(guī)定進(jìn)行位錯(cuò)密度和位錯(cuò)類型及分布的檢驗(yàn);檢驗(yàn)規(guī)則及合格判據(jù)見表4。   5.4不合格判定   每批產(chǎn)品中有任何一項(xiàng)檢驗(yàn)不合格,則判定批產(chǎn)品為不合格。   5.5不合格處置   如果產(chǎn)品因不合格而被拒收,生產(chǎn)方應(yīng)將該產(chǎn)品取回進(jìn)行分析;若產(chǎn)品不合格是因晶棒的外形尺寸、外觀等可通過返工重新使之合格的問題所造成,則產(chǎn)品可經(jīng)返工并檢驗(yàn)合格后再予以重新交付。如果是因晶棒的電學(xué)性能、位錯(cuò)及晶向達(dá)不到產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或合同的要求,則該產(chǎn)品將不能重新交付,應(yīng)由生產(chǎn)方重新提供合格的產(chǎn)品。   6標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存   6.1標(biāo)志、包裝和質(zhì)A證明   6.1.1包裝袋上應(yīng)有下列標(biāo)志   a)產(chǎn)品名稱;   b)晶體型號、長度尺寸;   c)晶體編號。   6.1.2包裝箱上應(yīng)有下列標(biāo)志   a)產(chǎn)品名稱、型號、數(shù)量、發(fā)貨日期;   b)需方名稱、地址;   c)生產(chǎn)方名稱、地址;   d)防潮、防震、防腐蝕及易碎標(biāo)志。   6.1.3包裝   將經(jīng)過清洗干凈、檢驗(yàn)合格的砷化稼單晶棒放人特制的聚乙烯包裝袋內(nèi),然后連同質(zhì)量證明書一起裝人包裝盒內(nèi),周圍用塑料沫填充,防止移動(dòng)相互擠碰,最后用膠帶將包裝盒封好。   6.1.4質(zhì)f證明書   每根砷化稼單晶棒應(yīng)具備質(zhì)量證明書,其上注明:   a)供方名稱;   b)合同號;   c)產(chǎn)品名稱、晶體型號、長度尺寸;   d)產(chǎn)品批號、晶體編號;   e)本標(biāo)準(zhǔn)編號;   f)各項(xiàng)參數(shù)檢驗(yàn)結(jié)果和檢驗(yàn)員印章及檢驗(yàn)日期;   g)檢驗(yàn)部門印章。   6.2運(yùn)輸及貯存   6.2.1產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)防止擠壓、碰撞并采取防震、防潮等措施。   6.2.2產(chǎn)品應(yīng)存放在清潔、干燥、無化學(xué)腐蝕的環(huán)境中。   7訂貨單內(nèi)容   訂購本標(biāo)準(zhǔn)所列產(chǎn)品的訂貨單應(yīng)包括下列內(nèi)容:   a)產(chǎn)品名稱;   b)規(guī)格;   c)重量;   d)本標(biāo)準(zhǔn)編號;   e)其他。